[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
R
1
R
3
R
2
R
4
(+)
p
p/4
p/4
p/4
p/4
(A)
(-)
R
1
R
3
R
2
R
4
p
p/4
p/4
p/4
p/4
(B)
素子構成
MS0042 はバイアス磁石と組み合わせることにより歯車モジュール m=0.4 の A/B 相を出力します。１つ
のパッケージの中に、２個の SMR 素子チップ（A/B 相用と Z 相用の各 1 素子）を有し、同一の素子を歯
車の厚さ方向に 1.90ｍｍピッチで配置しています。
最大定格
項 目 記 号 最小 最大 単 位 備 考
内部温度 Tｊ －40 150 ℃
保存温度範囲 Tstg －40 150 ℃
注）絶対最大定格を超えて使用した場合、素子を破壊するおそれがあります。
半導体磁気抵抗素子
MS-0042
配置図
歯車
R
1
R
3
R
4
R
2
等価回路
1.90
1
2
3
4
8
7
6
5
[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
動作条件
注）上記の制限を超えて使用した場合、素子を破壊するおそれがあります。
磁気及び電気的特性
周囲温度Ta=25℃
（1T=10kGauss）
*1 Rin(0)：B=0Tにおける2(+)－8(－)間の抵抗および
B=0Tにおける4(+)－6(－)間の抵抗
Rout(0)：B=0Tにおける1(Za相)－7(Zb相)間の抵抗および
B=0Tにおける3(A相)－5(B相)間の抵抗
*2 ΔRin/Rin = (Rin(B)-Rin(0))/Rin(0) Rin(B)：B=0.45TにおけるRin
ΔRout/Rout = (Rout(B)-Rout(0))/Rout(0) Rout(B)：B=0.45TにおけるRout
*3 V
A
(0)：B=0Tにおいて、2(+)－8(－)間にVc=5Vを印加した状態での、1(Za相)の電圧および
B=0Tにおいて、4(+)－6(－)間にVc=5Vを印加した状態での、3(A相)の電圧
項 目 記 号 最小 標準 最大 単 位 備 考
許容損失 PD 490 mW 周囲温度Ta=25℃
動作周囲温度 Topr
-40
125
℃
項 目 記 号 測定条件 最 小 標 準 最 大 単 位 備考
入力抵抗 Rin(0)
Ic=1mA
B=0T
270 375 Ω *1
出力抵抗 Rout(0)
Ic=1mA
B=0T
270 375 Ω *1
入力抵抗
磁気抵抗変化率
ΔRin
/Rin
Ic=1mA
B=0/0.45T
130 % *2
出力抵抗
磁気抵抗変化率
ΔRout
/Rout
Ic=1mA
B=0/0.45T
130 % *2
A相無磁界中性電圧 V
A
(0)
Vc=5V,
B=0T
2.46 2.54 V *3
B相無磁界中性電圧 V
B
(0)
Vc=5V,
B=0T
2.46 2.54 V *3
A相有磁界中性電圧 V
A
(B)
Vc=5V,
B=0.45T
2.46 2.54 V *4
B相有磁界中性電圧 V
B
(B)
Vc=5V,
B=0.45T
2.46 2.54 V *4
[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
R
1
R
3
R
2
R
4
1
Vc=5V
R
1
R
3
R
2
R
4
1(Za)
Vc=5V
2(+)
8(-)
7(Zb)
R
1
R
3
R
2
R
4
1
Vc=5V
R
1
R
3
R
2
R
4
3(A)
Vc=5V
4(+)
6(-)
5(B)
V
B
(0)：B=0Tにおいて、2(+)－8(－)間にVc=5Vを印加した状態での、7(Zb相)の電圧および
B=0Tにおいて、4(+)－6(－)間にVc=5Vを印加した状態での、5(B相)の電圧
*4 V
A
(B)：B=0.45Tにおいて、2(+)－8(－)間にVc=5Vを印加した状態での、1(Za相)の電圧および
B=0.45Tにおいて、4(+)－6(－)間にVc=5Vを印加した状態での、3(A相)の電圧
V
B
(B)：B=0.45Tにおいて、2(+)－8(－)間にVc=5Vを印加した状態での、7(Zb相)の電圧および
B=0.45Tにおいて、4(+)－6(－)間にVc=5Vを印加した状態での、5(B相)の電圧
許容損失
２個のSMR素子チップの合計の消費電力で表示しています。
0
100
200
300
400
500
600
-50 0 50 100 150
温度 [℃]
許容損失PD [mW]
[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
パッケージ
□外形寸法図
Unit: mm
＊図面横方向の２素子の相対位置ズレは±0.07mm以下とします。
（この項目は保証項目ではありません。量産検査されません。）
＊ダイの回転ズレは±４°以下（この項目は保証項目ではありません。量産検査されません。）
注1) 公差は特に定める以外は±0.1mmとします。
4
3
2
1 8
7
5
6
1
2
3
4
5
6
8
7
[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
信頼性項目
貴社認定時に以下の信頼性試験を実施します。
No. 試験項目 試験方法・条件【準拠規格】 n 試験時間 判定基準(Ta=25℃)
1 湿度放置試験 Ta=85℃ 相対湿度＝85% 22 1000hr
・抵抗は初期値に対して変化率：
±20%以内
・中性電圧*1は2.44～2.56V
・磁気抵抗変化率は磁気及び電気
的特性の範囲内：
ΔR/R：130％以上
2 高温通電試験
Ta=100℃
（Vc:3.2V・・・Tj=150℃）
22 1000hr 同上
3 高温放置試験 Ta=150℃ 22 1000hr 同上
4
温度サイクル試
験
-55℃ → 常温 → +150℃
30分 ← 5分 ← 30分
-55℃ → 25℃ → ＋150℃
30min.← 5min.← 30min.
22 100ｻｲｸﾙ 同上
*1 中性電圧とは、A 相無磁界中性電圧 V
A
(0) 、B 相無磁界中性電圧 V
B
(0)、A 相有磁界中性電圧 V
A
(B) 、
B 相有磁界中性電圧 V
B
(B) のことを指します。測定方法については P2 磁気及び電気的特性を参
照願います。
[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
マーキング
マーク表示はレーザー印刷となります。
印字例
グレード識別番号 年 月
印字 対応ｸﾞﾚｰﾄﾞ 印字 対応年 印字 対応月
1 0～9 西暦末尾数 1 1月
2
2 2月
3 3 3月
4 4 4月
5 MS-0042 5 5月
6 6 6月
7 7 7月
8 8 8月
9 9 9月
0 0 10月
A 11月
B 12月
５
０
９ １
ロット識別番号
グレード識別番号
製造年月（2010年9月）
[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
5.30
0.85
0.45
0.30
0.85
RoHS指令対応
この製品はRoHS指令に対応しています。
推奨ランドパターン（参考）
Unit: mm
＊中央のアイランドは接続不要
抵抗体間隔（参考）
Unit: mm
R1 R2 R3 R4 R1 R2 R3 R4
[MS0042]
MS1362-J-00 2011/11
素子配置（参考）
Unit: mm
＊２素子の感磁部の間隔は、1.50mm 以上とします。
（この項目は保証項目ではありません。量産検査されません。）
＊図面横方向の２素子の相対位置ズレは±0.07mm 以下とします。
（この項目は保証項目ではありません。量産検査されません。）。
重要な注意事項
● 本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品
の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記載された周辺回路、応
用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用される場合は、お客様の責任において行
ってください。本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報
の使用に起因してお客様または第三者に生じた損害に対し、弊社はその責任を負うものではありま
せん。また、当該使用に起因する、工業所有権その他の第三者の所有する権利に対する侵害につき
ましても同様です。
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合、輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要です。
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うな極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社代表取締
役の書面による同意をお取りください。
● この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、その使用から生ずる損害
等の責任を一切負うものではありませんのでご了承ください。
● お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され、その使用か
ら損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますのでご了承下さい。
1.90
1
2
3
4
8
7
6
5
≦±0.07
1.50＜
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
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6
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7
-
8
