[MS-P204]
MS1321-J-00 2011/08
素子構成
MS-P204 はバイアス磁石と組み合わせることにより歯車モジュールｍ＝２．０のＡ／Ｂ相を出力し
ます。１つのパッケージの中に、４個の半導体磁気抵抗素子チップを有し、同一の素子を４個等間隔に
配置しています。
絶対最大定格
項 目 記 号 最小 最大 単 位 備 考
内部温度 Tｊ －40 150 ℃
保存温度範囲 Tstg －40 150 ℃
注）絶対最大定格を超えて使用した場合、素子を破壊するおそれがあります。
動作条件
注）上記の制限を超えて使用した場合、素子を破壊するおそれがあります。
項 目 記 号 最小 標準 最大 単 位 備 考
許容損失 PD 865 mW 周囲温度Ta=25℃
動作周囲温度 Topr
-40
125
℃
半導体磁気抵抗素子
MS-P204
等価回路
１
R
1
1/4p
1/4p
1/4p
R
3
R
2
R
4
8
2
7
3
6
5
4
１
R
1
1/4p
1/4p
1/4p
R
3
R
2
R
4
8
2
7
3
6
5
4
配置図
歯車
1
2
3
4
5
7
8
6
[MS-P204]
MS1321-J-00 2011/08
R
1
R
3
R
2
R
4
Vc=5V
R
1
R
3
R
2
R
4
Vc=5V
5,7（B相）
1,2（+）
3,4（-）
6,8（A相）
磁気及び電気的特性
周囲温度Ta=25℃
（1T=10kGauss）
*1 R(0)：B=0Tにおける1－8間の抵抗および
B=0Tにおける2－7間の抵抗および
B=0Tにおける3－6間の抵抗および
B=0Tにおける4－5間の抵抗
*2 ΔR/R = (R(B)-R(0))/R(0)
R(B)：B=0.45Tにおける抵抗
*3 V
A
(0)： B=0Tにおいて、6－8間を短絡し、
1－3間にVc=5Vを印加した状態での、
6もしくは8(A相)の電圧
V
B
(0)：B=0Tにおいて、5－7間を短絡し、
2－4間にVc=5Vを印加した状態での、
5もしくは7(B相)の電圧
＊V
A
(0)、V
B
(0)は、各抵抗R(0)の測定値から演算により求めます。
*4 V
A
(B)：B=0.45Tにおいて、6－8間を短絡し1－3間にVc=5Vを印加した状態での、
6もしくは8(A相)の電圧
V
B
(B)：B=0.45Tにおいて、5－7間を短絡し2－4間にVc=5Vを印加した状態での、
5もしくは7(B相)の電圧
＊V
A
(B)、V
B
(B)は、各抵抗R(0)とΔR/Rの測定値から演算により求めます。
項 目 記 号 測定条件 最 小 標 準 最 大 単 位 備考
抵抗 R(0)
Ic=1mA
B=0T
290 420 Ω *1
磁気抵抗変化率 ΔR/R
Ic=1mA
B=0/0.45T
130 % *2
A相無磁界中性電圧 V
A
(0)
B=0Tの
抵抗値より計算によ
り求める。
2.25 2.5 2.75 V *3
B相無磁界中性電圧 V
B
(0)
B=0Tの
抵抗値より計算によ
り求める。
2.25 2.5 2.75 V *3
A相有磁界中性電圧 V
A
(B)
B=0.45Tの
抵抗値より計算によ
り求める。
2.25 2.5 2.75 V *4
B相有磁界中性電圧 V
B
(B)
B=0.45Tの
抵抗値より計算によ
り求める。
2.25 2.5 2.75 V *4
[MS-P204]
MS1321-J-00 2011/08
許容損失
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
-50 0 50 100 150
温度 [℃]
許容損失PD [mW]
[MS-P204]
MS1321-J-00 2011/08
パッケージ
□外形寸法図
Unit: mm
注1) 公差は特に定める以外は±0.1mmとします。
1
2
3
4
5
6
7
8
端子の材料：銅系合金
端子のめっき材料：Sn100％
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MS1321-J-00 2011/08
信頼性項目
No. 試験項目 試験方法・条件【準拠規格】 n 試験時間 判定基準(Ta=25℃)
1 湿度放置試験 Ta=85℃ 相対湿度＝85% 22 1000hr
・抵抗は初期値に対して変化率：
±20%以内
・中性電圧*1と磁気抵抗変化率は
磁気及び電気的特性の範囲内：
V
A
､V
B
：2.25～2.75V
ΔR/R：130％以上
2 高温通電試験 Ta=125℃ Vc=5.5V 22 1000hr 同上
3 高温放置試験 Ta=150℃ 22 1000hr 同上
4
温度サイクル試
験
-55℃ → 常温 → +150℃
30分 ← 5分 ← 30分
-55℃ → 25℃ → ＋150℃
30min.← 5min.← 30min.
22 100ｻｲｸﾙ 同上
*1 中性電圧とは、A 相無磁界中性電圧 V
A
(0) 、B 相無磁界中性電圧 V
B
(0)、A 相有磁界中性電圧 V
A
(B) 、
B 相有磁界中性電圧 V
B
(B) のことを指します。測定方法については P2 磁気及び電気的特性を参
照願います。
マーキング
この製品ではマーキングは行いません。
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MS1321-J-00 2011/08
抵抗体間隔（参考）
Unit: mm
１番端の素子は、パッケージセンターから 2.565±0.1mm で配置します。(量産時に検査されません。)
１番端の抵抗素子から各抵抗素子までの間隔は、１.71±0.1 mm、3.42±0.1 mm、5.13±0.1 mmで配
置します。(量産時に検査されません。)
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の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記載された周辺回路、応
用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用される場合は、お客様の責任において行
ってください。本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報
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ら損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますのでご了承下さい。
1 2 3 4
5 6
7 8
1.71±0.1
5.13±0.1
3.42±0.1
2.565±0.1
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
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6
