[AK8779A]
015001035-J-02 2015/07
- 1 -
概 要 1.
本ICは、ICマーキング面に垂直方向に入る「縦磁場」と平行方向に入る「横磁場」を同時に検出し、1
チップで回転量(F信号:1磁極につき1パルス)と回転方向(D信号)を出力するパルスエンコーダ用のホー
ルICです。
特 長 2.
電源電圧: 3.8 ~ 24V
動作温度範囲: 40 ~ 150ºC
縦磁場検知: ±2.0mT(Typ.), ±4.0mT(Max.)
横磁場検知: ±2.0mT(Typ.), ±4.0mT(Max.)
信号出力タイプ: F (パルス)
D (回転方向)
パッケージ: 6-pin SOP (小型パッケージ、RoHS対応、ハロゲンフリー)
Hall Effect IC for Pulse Encoders
AK8779A
[AK8779A]
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目 次 3.
概 要 .................................................................................................................................................. 1 1.
特 長 .................................................................................................................................................. 1 2.
目 次 .................................................................................................................................................. 2 3.
ブロック図と機能説明 ........................................................................................................................ 3 4.
4.1. ブロック図 ................................................................................................................................... 3
4.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 3
ピン配置と機能説明 ............................................................................................................................ 4 5.
5.1. ピン配置 ....................................................................................................................................... 4
5.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 4
絶対最大定格 ....................................................................................................................................... 4
6.
推奨動作条件 ....................................................................................................................................... 5 7.
電気的特性 .......................................................................................................................................... 5 8.
磁気的特性 .......................................................................................................................................... 5 9.
磁界検知動作 ................................................................................................................................... 6 10.
10.1. 縦磁場磁束密度の極性の定義 .................................................................................................. 6
10.2. 横磁場磁束密度の極性の定義 .................................................................................................. 7
10.3. 回転磁界検知時の内部信号A, Bと出力信号F, Dの動作 ........................................................... 8
動作タイミング ............................................................................................................................... 9 11.
外部接続回路例 ............................................................................................................................. 10 12.
標準温度特性(参考) ........................................................................................................................ 11 13.
パッケージ ..................................................................................................................................... 12 14.
14.1. 外形寸法図 ............................................................................................................................. 12
14.2. 端子材料 ................................................................................................................................. 12
14.3. ランドパターン ...................................................................................................................... 13
14.4. マーキング ............................................................................................................................. 13
重要な注意事項 ........................................................................................................................................ 14
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ブロック図と機能説明 4.
4.1. ブロック図
図 1. AK8779Aのブロック図
4.2. 機能説明
表 1. 各ブロックの機能
ブロック
機能
REGULATOR
内部動作電圧を生成します。
HALL SENSORS
CMOSプロセスで構成された、ホール素子です。
CHOPPER_SW
ホール素子駆動切換えスイッチです。ホール素子のオフセット、ノイズを軽
減するため、内部クロックでチョッピングします。
CHOP_AMP
2個のホール素子出力を増幅します。また、2個のホール素子出力の演算を行
います。
COMP
チョッパゲインアンプの出力を比較し、その結果を保持します。
BIAS
内部回路に必要なバイアス電流を発生します。
HE_DRIVE
ホール素子の駆動電流を供給します。また、磁場の閾値を決める為のバイア
ス電流を発生します。
OSC
タイミングを制御するための発振回路です。
TIMING LOGIC
内部タイミングを作ります。
LATCH & LOGIC
縦磁場及び横磁場の検知によって変化する信号を出力します。オープンドレ
イン出力です。
CHOPPER_SW
LATCH & LOGIC
REGULATOR
BIAS
HE_DRIVE
OSC
TIMING
LOGIC
CHOP_AMP
COMP
VREG
VDD
VSS
F
D
HALL SENSORS
0.1mF
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ピン配置と機能説明 5.
5.1. ピン配置
図 2. ピン配置
5.2. 機能説明
表 2. 各ピンの名称と機能
ピン番号
ピン名称
I/O
機能
記事
1
F
O
パルス信号出力ピン
オープンドレイン出力です。
2
TAB
-
(TABピン)
(* 1)
3
D
O
回転方向信号出力ピン
オープンドレイン出力です。
4
VDD
-
電源ピン
5
TAB
-
(TABピン)
(* 1)
6
VSS
-
グラウンドピン (GND)
* 1. TAB pinは、VSS pinに接続してください。
絶対最大定格 6.
表 3. 絶対最大定格一覧
項目
記号
Min.
Max.
単位
記事
電源電圧
V
DD
0.3
32
V
VSS = 0V
出力端子電圧
V
OUT
0.3
32
V
F pin, D pin
VSS = 0V
出力電流
I
SINK
20
mA
F pin, D pin
保存温度範囲
T
STG
55
150
ºC
この値を超えた条件で使用した場合、デバイスを破壊することがあります。また通常の動作は保証され
ません。
6 5 4
1 2 3
Line Marking
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推奨動作条件 7.
表 4. 推奨動作条件一覧
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
電源電圧
V
DD
3.8
12
24
V
出力電流
I
SINK
15
mA
動作温度範囲
Ta
40
150
ºC
電気的特性 8.
表 5. 電気的特性一覧 (V
DD
= 3.8 ~ 24V, Ta = 40 ~ 150ºC)
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
記事
消費電流
I
DD
1.7
3.5
6.2
mA
V
DD
= 3.8 ~ 24V
消費電流(2)
I
DD2
1.7
3.5
6.0
mA
V
DD
= 3.8 ~ 18V
出力飽和電圧
V
SAT
0.4
V
F pin, D pin
I
SINK
= 15mA
出力リーク電流
I
LEAK
10
µA
F, D = V
DD
出力更新周期
Tp
5.0
8.3
16.7
µs
磁気的特性 9.
表 6. 磁気的特性一覧 (V
DD
= 3.8 ~ 24V, Ta = 40 ~ 150ºC)
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
記事
縦磁場動作磁束密度
BopV
0.5
2.0
4.0
mT
(* 2)
縦磁場復帰磁束密度
BrpV
4.0
2.0
0.5
mT
(* 2)
横磁場動作磁束密度
BopH
0.5
2.0
4.0
mT
(* 2)
横磁場復帰磁束密度
BrpH
4.0
2.0
0.5
mT
(* 2)
ヒステリシス幅
BhV, BhH
2.0
4.0
6.4
mT
(* 2, * 3)
オフセット
BoffV, BoffH
1.1
0.0
+1.1
mT
(* 2, * 4)
* 2. ノイズ磁場成分(縦磁場検出時の横磁場、横磁場検出時の縦磁場)を0とした場合。
* 3. Bh = Bop – Brp
* 4. Boff = (Bop + Brp) / 2
図 3. Bh, Boffの定義
内部信号
0
S
N
Bop
Brp
Bh/2
Bh/2
Boff
B
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- 6 -
磁界検知動作 10.
10.1. 縦磁場磁束密度の極性の定義
ICマーキング面に垂直に印加される磁界を検知し、内部信号Aが変化します。ICマーキング面がS極とな
る場合を正極、N極となる場合を負極と定義します。
図 4. 縦磁場の極性の定義
ICマーキング面にS極が配置される場合、仕様に定められたBopVで内部信号Aは、 “H”から “L”に変化し
ます。N極が配置される場合、仕様に定められたBrpVで内部信号Aは、“L”から “H”に変化します。
図 5. 縦磁場磁束密度と内部信号Aの関係
内部信号A
BhV
0
S
N
BopV
BrpV
B
Line Marking
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- 7 -
10.2. 横磁場磁束密度の極性の定義
ICマーキング面と平行方向に印加される磁界を検知し、内部信号Bが変化します。ラインマーキング側
のパッケージ側面がS極となる場合を正極、N極となる場合を負極と定義します。
図 6. 横磁場の極性の定義
ラインマーキング側のパッケージ側面にS極が配置される場合、仕様に定められたBopHで内部信号Bは
“H”から “L”に変化します。N極が配置される場合、仕様に定められたBrpHで内部信号Bは、“L”から “H”
に変化します。
図 7. 横磁場磁束密度と内部信号Bの関係
内部信号B
BhH
0
S
N
BopH
BrpH
B
Line Marking
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- 8 -
10.3. 回転磁界検知時の内部信号A, Bと出力信号F, Dの動作
F信号は、内部信号A, Bの排他的論理和から生成されます。また、D信号は、内部信号A, Bの出力の変化
の順序を参照して、生成されます。
図 8. 回転磁界検知時の内部信号A, BとF, D信号の関係
* D信号は、F信号の1パルス目で確定します。
* 信号の不定区間は、電源電圧投入後にのみ発生します。
* F, D信号は同時に更新されます。
縦磁場磁束密度
横磁場磁束密度
電源電圧V
DD
内部信号A
(縦磁場検出)
内部信号B
(横磁場検出)
F信号
(パルス)
D信号
(回転方向)
0
0
0
0
0
0
0
BopV
BrpV
BopH
BrpH
回転方向転換
回転方向転換
出力信号確定
Undefined ("H" or "L")
t
t
t
t
t
t
t
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- 9 -
動作タイミング 11.
図 9. 出力変化のタイミング
図 10. 出力変化のタイミング(詳細)
* V
DD
= 12Vとします。
* 出力状態は、サンプリングが終了してから約4µs後に変化します(プルアップ抵抗10kΩ、負荷容量
20pF、出力電圧がV
DD
の50%になるまでの時間)。
t
磁場サンプリング
周期
回転方向転換
回転方向転換
4μs(Typ.)
F (Pulse)
縦磁場
横磁場
BopV,BopH
0
BrpV,BrpH
磁束密度
D (Direction)
t
t
50%V
DD
t
50%V
DD
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
縦磁場磁束密度
横磁場磁束密度
BopV
BrpV
0
磁場サンプリング
周期
0
0
内部信号A
(縦磁場検出)
BopH
BrpH
0
Tp: 8.3μs (Typ.)
t
t
t
t
t
内部信号B
(横磁場検出)
0
t
F信号
(パルス)
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- 10 -
外部接続回路例 12.
図 11. 外部接続回路例
GND
0.1μF
V
DD
10kΩ
10kΩ
Output (F)
Output (D)
6
5
4
1
2
3
Top View
VSS
VDD
F
D
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- 11 -
標準温度特性(参考) 13.
図 12. 動作・復帰磁束密度の温度特性
図 13. 消費電流の温度特性
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopV, BrpV [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopV, BrpV vs. Ta (V
DD
= 3.8V)
BopV
BrpV
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopH, BrpH [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopH, BrpH vs. Ta (V
DD
= 3.8V)
BopH
BrpH
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopV, BrpV [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopV, BrpV vs. Ta (V
DD
= 12V)
BopV
BrpV
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopV, BrpV [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopV, BrpV vs. Ta (V
DD
= 24V)
BopV
BrpV
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopH, BrpH [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopH, BrpH vs. Ta (V
DD
= 24V)
BopH
BrpH
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopH, BrpH [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopH, BrpH vs. Ta (V
DD
= 12V)
BopH
BrpH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
I
DD
[mA]
V
DD
[V]
I
DD
vs. V
DD
(in various Ta)
40℃
25℃
50℃
150℃
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
I
DD
[mA]
V
DD
[V]
I
DD
vs. V
DD
(in various Ta)
－40℃
25℃
50℃
150℃
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
[AK8779A]
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- 12 -
パッケージ 14.
14.1. 外形寸法図
6-pin SOP (Unit: mm)
図 14. 外形寸法
* センサ中心は、φ0.3mmの円内に位置します。
* リード平坦度: 端子間のスタンドオフの差は、最大0.1mmとします。
* センサ感磁部は、マーキング面からの深さ0.71mm (Typ.)に位置します。
14.2. 端子材料
端子材料: 銅系合金
端子めっき材: Sn 100%
端子めっき厚: 10µm (Typ.)
[AK8779A]
015001035-J-02 2015/07
- 13 -
14.3. ランドパターン
図 15. ランドパターン
14.4. マーキング
図 16. マーキング
Unit in mm
Unit in mm
マーキングはレーザ印字となります。
製品識別番号 A(AK8779A)
デートコード YWWL
Y: 製造年
WW: 製造週
L: ロット
6
5
4
1
2
3
AYWWL
Line Marking
[AK8779A]
015001035-J-02 2015/07
- 14 -
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