[AK8779A]
015001035-J-02 2015/07
- 1 -
概 要 1.
本ICは、ICマーキング面に垂直方向に入る「縦磁場」と平行方向に入る「横磁場」を同時に検出し、1
チップで回転量(F信号:1磁極につき1パルス)と回転方向(D信号)を出力するパルスエンコーダ用のホー
ルICです。
特 長 2.
電源電圧: 3.8 ~ 24V
動作温度範囲: 40 ~ 150ºC
縦磁場検知: ±2.0mT(Typ.), ±4.0mT(Max.)
横磁場検知: ±2.0mT(Typ.), ±4.0mT(Max.)
信号出力タイプ: F (パルス)
D (回転方向)
パッケージ: 6-pin SOP (小型パッケージ、RoHS対応、ハロゲンフリー)
Hall Effect IC for Pulse Encoders
AK8779A
[AK8779A]
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目 次 3.
概 要 .................................................................................................................................................. 1 1.
特 長 .................................................................................................................................................. 1 2.
目 次 .................................................................................................................................................. 2 3.
ブロック図と機能説明 ........................................................................................................................ 3 4.
4.1. ブロック図 ................................................................................................................................... 3
4.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 3
ピン配置と機能説明 ............................................................................................................................ 4 5.
5.1. ピン配置 ....................................................................................................................................... 4
5.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 4
絶対最大定格 ....................................................................................................................................... 4
6.
推奨動作条件 ....................................................................................................................................... 5 7.
電気的特性 .......................................................................................................................................... 5 8.
磁気的特性 .......................................................................................................................................... 5 9.
磁界検知動作 ................................................................................................................................... 6 10.
10.1. 縦磁場磁束密度の極性の定義 .................................................................................................. 6
10.2. 横磁場磁束密度の極性の定義 .................................................................................................. 7
10.3. 回転磁界検知時の内部信号A, Bと出力信号F, Dの動作 ........................................................... 8
動作タイミング ............................................................................................................................... 9 11.
外部接続回路例 ............................................................................................................................. 10 12.
標準温度特性(参考) ........................................................................................................................ 11 13.
パッケージ ..................................................................................................................................... 12 14.
14.1. 外形寸法図 ............................................................................................................................. 12
14.2. 端子材料 ................................................................................................................................. 12
14.3. ランドパターン ...................................................................................................................... 13
14.4. マーキング ............................................................................................................................. 13
重要な注意事項 ........................................................................................................................................ 14
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ブロック図と機能説明 4.
4.1. ブロック図
図 1. AK8779Aのブロック図
4.2. 機能説明
表 1. 各ブロックの機能
ブロック
機能
REGULATOR
内部動作電圧を生成します。
HALL SENSORS
CMOSプロセスで構成された、ホール素子です。
CHOPPER_SW
ホール素子駆動切換えスイッチです。ホール素子のオフセット、ノイズを軽
減するため、内部クロックでチョッピングします。
CHOP_AMP
2個のホール素子出力を増幅します。また、2個のホール素子出力の演算を行
います。
COMP
チョッパゲインアンプの出力を比較し、その結果を保持します。
BIAS
内部回路に必要なバイアス電流を発生します。
HE_DRIVE
ホール素子の駆動電流を供給します。また、磁場の閾値を決める為のバイア
ス電流を発生します。
OSC
タイミングを制御するための発振回路です。
TIMING LOGIC
内部タイミングを作ります。
LATCH & LOGIC
縦磁場及び横磁場の検知によって変化する信号を出力します。オープンドレ
イン出力です。
CHOPPER_SW
LATCH & LOGIC
REGULATOR
BIAS
HE_DRIVE
OSC
TIMING
LOGIC
CHOP_AMP
COMP
VREG
VDD
VSS
F
D
HALL SENSORS
0.1mF
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ピン配置と機能説明 5.
5.1. ピン配置
図 2. ピン配置
5.2. 機能説明
表 2. 各ピンの名称と機能
ピン番号
ピン名称
I/O
機能
記事
1
F
O
パルス信号出力ピン
オープンドレイン出力です。
2
TAB
-
(TABピン)
(* 1)
3
D
O
回転方向信号出力ピン
オープンドレイン出力です。
4
VDD
-
電源ピン
5
TAB
-
(TABピン)
(* 1)
6
VSS
-
グラウンドピン (GND)
* 1. TAB pinは、VSS pinに接続してください。
絶対最大定格 6.
表 3. 絶対最大定格一覧
項目
記号
Min.
Max.
単位
記事
電源電圧
V
DD
0.3
32
V
VSS = 0V
出力端子電圧
V
OUT
0.3
32
V
F pin, D pin
VSS = 0V
出力電流
I
SINK
20
mA
F pin, D pin
保存温度範囲
T
STG
55
150
ºC
この値を超えた条件で使用した場合、デバイスを破壊することがあります。また通常の動作は保証され
ません。
6 5 4
1 2 3
Line Marking
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推奨動作条件 7.
表 4. 推奨動作条件一覧
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
電源電圧
V
DD
3.8
12
24
V
出力電流
I
SINK
15
mA
動作温度範囲
Ta
40
150
ºC
電気的特性 8.
表 5. 電気的特性一覧 (V
DD
= 3.8 ~ 24V, Ta = 40 ~ 150ºC)
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
記事
消費電流
I
DD
1.7
3.5
6.2
mA
V
DD
= 3.8 ~ 24V
消費電流(2)
I
DD2
1.7
3.5
6.0
mA
V
DD
= 3.8 ~ 18V
出力飽和電圧
V
SAT
0.4
V
F pin, D pin
I
SINK
= 15mA
出力リーク電流
I
LEAK
10
µA
F, D = V
DD
出力更新周期
Tp
5.0
8.3
16.7
µs
磁気的特性 9.
表 6. 磁気的特性一覧 (V
DD
= 3.8 ~ 24V, Ta = 40 ~ 150ºC)
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
記事
縦磁場動作磁束密度
BopV
0.5
2.0
4.0
mT
(* 2)
縦磁場復帰磁束密度
BrpV
4.0
2.0
0.5
mT
(* 2)
横磁場動作磁束密度
BopH
0.5
2.0
4.0
mT
(* 2)
横磁場復帰磁束密度
BrpH
4.0
2.0
0.5
mT
(* 2)
ヒステリシス幅
BhV, BhH
2.0
4.0
6.4
mT
(* 2, * 3)
オフセット
BoffV, BoffH
1.1
0.0
+1.1
mT
(* 2, * 4)
* 2. ノイズ磁場成分(縦磁場検出時の横磁場、横磁場検出時の縦磁場)を0とした場合。
* 3. Bh = Bop – Brp
* 4. Boff = (Bop + Brp) / 2
図 3. Bh, Boffの定義
内部信号
0
S
N
Bop
Brp
Bh/2
Bh/2
Boff
B
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- 6 -
磁界検知動作 10.
10.1. 縦磁場磁束密度の極性の定義
ICマーキング面に垂直に印加される磁界を検知し、内部信号Aが変化します。ICマーキング面がS極とな
る場合を正極、N極となる場合を負極と定義します。
図 4. 縦磁場の極性の定義
ICマーキング面にS極が配置される場合、仕様に定められたBopVで内部信号Aは、 “H”から “L”に変化し
ます。N極が配置される場合、仕様に定められたBrpVで内部信号Aは、“L”から “H”に変化します。
図 5. 縦磁場磁束密度と内部信号Aの関係
内部信号A
BhV
0
S
N
BopV
BrpV
B
Line Marking
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- 7 -
10.2. 横磁場磁束密度の極性の定義
ICマーキング面と平行方向に印加される磁界を検知し、内部信号Bが変化します。ラインマーキング側
のパッケージ側面がS極となる場合を正極、N極となる場合を負極と定義します。
図 6. 横磁場の極性の定義
ラインマーキング側のパッケージ側面にS極が配置される場合、仕様に定められたBopHで内部信号Bは
“H”から “L”に変化します。N極が配置される場合、仕様に定められたBrpHで内部信号Bは、“L”から “H”
に変化します。
図 7. 横磁場磁束密度と内部信号Bの関係
内部信号B
BhH
0
S
N
BopH
BrpH
B
Line Marking
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- 8 -
10.3. 回転磁界検知時の内部信号A, Bと出力信号F, Dの動作
F信号は、内部信号A, Bの排他的論理和から生成されます。また、D信号は、内部信号A, Bの出力の変化
の順序を参照して、生成されます。
図 8. 回転磁界検知時の内部信号A, BとF, D信号の関係
* D信号は、F信号の1パルス目で確定します。
* 信号の不定区間は、電源電圧投入後にのみ発生します。
* F, D信号は同時に更新されます。
縦磁場磁束密度
横磁場磁束密度
電源電圧V
DD
内部信号A
(縦磁場検出)
内部信号B
(横磁場検出)
F信号
(パルス)
D信号
(回転方向)
0
0
0
0
0
0
0
BopV
BrpV
BopH
BrpH
回転方向転換
回転方向転換
出力信号確定
Undefined ("H" or "L")
t
t
t
t
t
t
t
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- 9 -
動作タイミング 11.
図 9. 出力変化のタイミング
図 10. 出力変化のタイミング(詳細)
* V
DD
= 12Vとします。
* 出力状態は、サンプリングが終了してから約4µs後に変化します(プルアップ抵抗10kΩ、負荷容量
20pF、出力電圧がV
DD
の50%になるまでの時間)。
t
磁場サンプリング
周期
回転方向転換
回転方向転換
4μs(Typ.)
F (Pulse)
縦磁場
横磁場
BopV,BopH
0
BrpV,BrpH
磁束密度
D (Direction)
t
t
50%V
DD
t
50%V
DD
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
4μs(Typ.)
縦磁場磁束密度
横磁場磁束密度
BopV
BrpV
0
磁場サンプリング
周期
0
0
内部信号A
(縦磁場検出)
BopH
BrpH
0
Tp: 8.3μs (Typ.)
t
t
t
t
t
内部信号B
(横磁場検出)
0
t
F信号
(パルス)
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- 10 -
外部接続回路例 12.
図 11. 外部接続回路例
GND
0.1μF
V
DD
10kΩ
10kΩ
Output (F)
Output (D)
6
5
4
1
2
3
Top View
VSS
VDD
F
D
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- 11 -
標準温度特性(参考) 13.
図 12. 動作・復帰磁束密度の温度特性
図 13. 消費電流の温度特性
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopV, BrpV [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopV, BrpV vs. Ta (V
DD
= 3.8V)
BopV
BrpV
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopH, BrpH [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopH, BrpH vs. Ta (V
DD
= 3.8V)
BopH
BrpH
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopV, BrpV [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopV, BrpV vs. Ta (V
DD
= 12V)
BopV
BrpV
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopV, BrpV [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopV, BrpV vs. Ta (V
DD
= 24V)
BopV
BrpV
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopH, BrpH [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopH, BrpH vs. Ta (V
DD
= 24V)
BopH
BrpH
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
BopH, BrpH [mT]
Ambient temperature Ta [℃]
BopH, BrpH vs. Ta (V
DD
= 12V)
BopH
BrpH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
I
DD
[mA]
V
DD
[V]
I
DD
vs. V
DD
(in various Ta)
40℃
25℃
50℃
150℃
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
I
DD
[mA]
V
DD
[V]
I
DD
vs. V
DD
(in various Ta)
－40℃
25℃
50℃
150℃
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
[AK8779A]
015001035-J-02 2015/07
- 12 -
パッケージ 14.
14.1. 外形寸法図
6-pin SOP (Unit: mm)
図 14. 外形寸法
* センサ中心は、φ0.3mmの円内に位置します。
* リード平坦度: 端子間のスタンドオフの差は、最大0.1mmとします。
* センサ感磁部は、マーキング面からの深さ0.71mm (Typ.)に位置します。
14.2. 端子材料
端子材料: 銅系合金
端子めっき材: Sn 100%
端子めっき厚: 10µm (Typ.)
[AK8779A]
015001035-J-02 2015/07
- 13 -
14.3. ランドパターン
図 15. ランドパターン
14.4. マーキング
図 16. マーキング
Unit in mm
Unit in mm
マーキングはレーザ印字となります。
製品識別番号 A(AK8779A)
デートコード YWWL
Y: 製造年
WW: 製造週
L: ロット
6
5
4
1
2
3
AYWWL
Line Marking
[AK8779A]
015001035-J-02 2015/07
- 14 -
重要な注意事項
0. 本書に記載された弊社製品（以下、「本製品」といいます。）、および、本製品の仕様につきま
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店営業担当にご確認ください。
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途弊社より書面で許諾された場合を除き、これらの用途に本製品を使用しないでください。
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ねます。
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た場合はお客様にて当該損害をご負担または補償して頂きますのでご了承ください。
7. 本書の全部または一部を、弊社の事前の書面による承諾なしに、転載または複製することを
禁じます。
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
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7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
