[AK8777B]
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本 IC は、IC マーキング面に垂直方向に入る”縦磁場”と、平行方向に入る”横磁場”を同時に検出するパルスエ
ンコーダ用のホール IC です。縦磁場の交番検知信号を OUTA 端子、横磁場の交番検知信号を OUTB端子か
ら出力します。
□ 4.0～24V で動作
□ ±1.7mT(Typ.)の縦磁場と横磁場を交番検知
□ OUTA(縦磁場検知), OUTB(横磁場検知)信号出力タイプ
□ 小型 SOP パッケージ, ハロゲンフリー
AK8777B
パ
パ
ル
ル
ス
ス
エ
エ
ン
ン
コ
コ
ー
ー
ダ
ダ
用
用
ホ
ホ
ー
ー
ル
ル
I
I
C
C
特長
概要
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図 1.AK8777B のブロック図
表 1.各ブロックの機能
ブロック 機能
REGULATOR 内部動作電圧を生成します。
HALL SENSORS CMOS プロセスで構成された、ホール素子です。
CHOPPER_SW
ホール素子駆動切り替えスイッチです。ホール素子のオフセット、ノイズを軽減
するため、内部クロックでチョッピングします。
CHOP_AMP
2 個のホール素子出力を増幅します。また、2 個のホール素子出力の演算を行
います。
COMP チョッパゲインアンプの出力を比較し、その結果を保持します。
BIAS 内部回路に必要なバイアス電流を発生します。
HE_DRIVE
ホール素子の駆動電流を供給します。また、磁場の閾値を決める為のバイアス
電流を発生します。
OSC タイミングを制御するための発振回路です。
TIMING LOGIC 内部回路のタイミングを作ります。
LATCH & LOGIC
縦磁場及び横磁場の検知によって変化する信号を出力します。オープンドレイ
ン出力です。
ブロック図
回路構成
CHOPPER_SW
LATCH & LOGIC
REGULATOR
BIAS
HE_DRIVE
OSC
TIMING LOGIC
CHOP_AMP
COMP
VREG
VDD
VSS
OUTA
OUTB
HALL SENSORS
0.1µF
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表 2.各端子の名称とその端子機能
端子番号
端子名称
I/O
端子機能説明 記事
1 VDD
電源端子
2 TAB
(TAB ピン) ※
3 OUTA O
出力端子(縦磁場検知出力) オープンドレイン出力です。
4 OUTB O
出力端子(横磁場検知出力) オープンドレイン出力です。
5 TAB
(TAB ピン) ※
6 VSS
グラウンド端子
※ TAB ピンは VSS に接続してください。
表 3.絶対最大定格一覧
項目 記号
Min. Max.
単位 記事
電源電圧
V
DD
−0.3
+32 V VSS=0V
出力端子電圧
V
OUT
−0.3
+32 V
OUTA, OUTB 端子 (VSS=0V)
出力電流
I
SINK
20 mA
OUTA, OUTB 端子
保存温度
T
STG
−55
+150
°C
※ 絶対最大定格を超えて使用した場合、IC を破壊する恐れがあります。 その際、通常の動作は保証されません。
表 4.推奨動作条件一覧
項目 記号
Min. Typ. Max.
単位
電源電圧
V
DD
4.0 12.0 24.0 V
出力電流
I
SINK
15 mA
動作温度
Ta
−40
+125
°C
絶対最大定格
推奨動作条件
入出力端子・機能
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表 5.電気的特性一覧 (V
DD
=4.0～24.0V, Ta= −40～+125°C)
項目 記号
Min. Typ. Max.
単位 記事
消費電流
I
DD
1.4 3.0 5.6
mA
出力飽和電圧
V
SAT
0.4 V
OUTA, OUTB端子
I
SINK
= 15mA
出力リーク電流
I
LEAK
10
μ
A
OUTA, OUTB = V
DD
出力更新周期
T
P
12.0 16.7 30.5
μs
表 6.磁気的特性一覧 (V
DD
=4.0～24.0V, Ta= −40～+125°C)
項目 記号
Min. Typ. Max.
単位 記事
縦磁場動作磁束密度
BopV 0.1 1.7 4.0
mT
縦磁場復帰磁束密度
BrpV
−4.0 −1.7 −0.1
mT
横磁場動作磁束密度
BopH 0.1 1.7 4.0
mT
横磁場復帰磁束密度
BrpH
−4.0 −1.7 −0.1
mT
ヒステリシス幅
BhV, BhH
1.5 3.4 6.8
mT
※ 上記の値は、ノイズ磁場成分（縦磁場検出時の横磁場、横磁場検出時の縦磁場）を 0 とした場合。
電気的特性
磁気的特性
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縦磁場磁束密度の極性の定義
ICマーキング面に垂直に印加される磁界を検出します。IC マーキング面が S極となる場合を正極、N極となる
場合を負極と定義します。
図 2.縦磁場の極性の定義
IC マーキング面に S極が配置される場合、仕様に定められた BopV で OUTA 信号は High電圧から Low 電圧
に変化します。N 極が配置される場合、仕様に定められた BrpV で OUTA 信号は Low電圧から High 電圧に変
化します。
図 3.縦磁場磁束密度と OUTA 信号の関係
S
N
IC マーキング面
IC パッケージ裏面
BhV
OUTA 信号
BopV
BrpV
S 極 N 極
0
磁界検知動作
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横磁場磁束密度の極性の定義
IC マーキング面と平行方向に印加される磁界を検出します。VSS端子、OUTB 端子側のパッケージ側面が S
極となる場合を正極、VSS端子、OUTB端子側のパッケージ側面が N 極となる場合を負極と定義します。
図 4.横磁場の極性の定義
VSS 端子、OUTB端子側のパッケージ側面に S 極が配置される場合、仕様に定められた BopH で OUTB信
号は High 電圧から Low 電圧に変化します。VSS 端子、OUTB 端子側のパッケージ側面に N 極が配置される
場合、仕様に定められた BrpH で OUTB信号は Low 電圧から High 電圧に変化します。
図 5.横磁場磁束密度と OUTB 信号の関係
S
N
IC マーキング面
Line Marking
IC パッケージ裏面
OUTB 端子
VSS 端子
BhH
OUTB 信号
BopH
BrpH
S 極 N 極
0
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図 6.出力変化のタイミング
※ V
DD
=12V 時とします。
※OUTA 信号,OUTB 信号の出力状態は、磁場サンプリングが終了してから約 6μs 後に変化します（プルアップ抵
抗値 10kΩ、負荷容量 20pF において、出力電圧が V
DD
の 50%になるまでの時間）。
動作タイミング
縦磁場磁束密度
横磁場磁束密度
BopV
BrpV
0
磁場サンプリング
周期
OUTA信号
OUTB信号
BopH
BrpH
0
T
P
: 16.7μs(Typ.)
t
t
t
t
t
0
0
t
6μs(Typ.)
BopV, BopH
OUTA
信号
OUTB
信号
t
6μs(Typ.)
磁束密度
磁束密度
磁場サンプリング
周期
磁場サンプリング
周期
t
t
0
0
tt
BrpV, BrpH
BopV, BopH
BrpV, BrpH
50%V
DD
50%V
DD
OUTA
信号
OUTB
信号
0
0
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図 7.感度の温度特性
図 8.消費電流の温度特性
標準温度特性(参考)
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外形寸法図
図 9.パッケージ外形寸法
(注 1) センサ中心は φ0.3mm の円内に位置します。
(注 2) リード平坦度：端子間のスタンドオフの差は最大 0.1mm とします。
(注 3) センサ感磁部はマーキング面からの深さ 0.71mm(Typ.)に位置します。
端子材料：銅系合金
端子めっき材：Sn 100％
端子めっき厚：10μm (Typ.)
パッケージ
1:VDD
2:TAB
3:OUTA
4:OUTB
5:TAB
6:VSS
Unit in mm
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図 10.パッケージマーキング
図 11.推奨動作回路
マーキングはレーザー印字となります。
製品識別番号：5(AK8777B)
デートコード：YWWL
Y：製造年
WW：製造週
L：ロット
推奨動作回路
マーキング
Line Marking
6 5 4
1 2 3
5YWWL
GND
V
DD
6 5 4
1 2 3
Top View
0.1μF
V
DD
V
DD
10kΩ10kΩ
Output (OUTB)
Output (OUTA)
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ます。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当、あ
るいは弊社特約店営業担当にご確認ください。
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を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りくだ
さい。
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生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますのでご了承下さい。
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