[AK8777B]
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本 IC は、IC マーキング面に垂直方向に入る”縦磁場”と、平行方向に入る”横磁場”を同時に検出するパルスエ
ンコーダ用のホール IC です。縦磁場の交番検知信号を OUTA 端子、横磁場の交番検知信号を OUTB端子か
ら出力します。
□ 4.0～24V で動作
□ ±1.7mT(Typ.)の縦磁場と横磁場を交番検知
□ OUTA(縦磁場検知), OUTB(横磁場検知)信号出力タイプ
□ 小型 SOP パッケージ, ハロゲンフリー
AK8777B
パ
パ
ル
ル
ス
ス
エ
エ
ン
ン
コ
コ
ー
ー
ダ
ダ
用
用
ホ
ホ
ー
ー
ル
ル
I
I
C
C
特長
概要
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図 1.AK8777B のブロック図
表 1.各ブロックの機能
ブロック 機能
REGULATOR 内部動作電圧を生成します。
HALL SENSORS CMOS プロセスで構成された、ホール素子です。
CHOPPER_SW
ホール素子駆動切り替えスイッチです。ホール素子のオフセット、ノイズを軽減
するため、内部クロックでチョッピングします。
CHOP_AMP
2 個のホール素子出力を増幅します。また、2 個のホール素子出力の演算を行
います。
COMP チョッパゲインアンプの出力を比較し、その結果を保持します。
BIAS 内部回路に必要なバイアス電流を発生します。
HE_DRIVE
ホール素子の駆動電流を供給します。また、磁場の閾値を決める為のバイアス
電流を発生します。
OSC タイミングを制御するための発振回路です。
TIMING LOGIC 内部回路のタイミングを作ります。
LATCH & LOGIC
縦磁場及び横磁場の検知によって変化する信号を出力します。オープンドレイ
ン出力です。
ブロック図
回路構成
CHOPPER_SW
LATCH & LOGIC
REGULATOR
BIAS
HE_DRIVE
OSC
TIMING LOGIC
CHOP_AMP
COMP
VREG
VDD
VSS
OUTA
OUTB
HALL SENSORS
0.1µF
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表 2.各端子の名称とその端子機能
端子番号
端子名称
I/O
端子機能説明 記事
1 VDD
電源端子
2 TAB
(TAB ピン) ※
3 OUTA O
出力端子(縦磁場検知出力) オープンドレイン出力です。
4 OUTB O
出力端子(横磁場検知出力) オープンドレイン出力です。
5 TAB
(TAB ピン) ※
6 VSS
グラウンド端子
※ TAB ピンは VSS に接続してください。
表 3.絶対最大定格一覧
項目 記号
Min. Max.
単位 記事
電源電圧
V
DD
−0.3
+32 V VSS=0V
出力端子電圧
V
OUT
−0.3
+32 V
OUTA, OUTB 端子 (VSS=0V)
出力電流
I
SINK
20 mA
OUTA, OUTB 端子
保存温度
T
STG
−55
+150
°C
※ 絶対最大定格を超えて使用した場合、IC を破壊する恐れがあります。 その際、通常の動作は保証されません。
表 4.推奨動作条件一覧
項目 記号
Min. Typ. Max.
単位
電源電圧
V
DD
4.0 12.0 24.0 V
出力電流
I
SINK
15 mA
動作温度
Ta
−40
+125
°C
絶対最大定格
推奨動作条件
入出力端子・機能
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表 5.電気的特性一覧 (V
DD
=4.0～24.0V, Ta= −40～+125°C)
項目 記号
Min. Typ. Max.
単位 記事
消費電流
I
DD
1.4 3.0 5.6
mA
出力飽和電圧
V
SAT
0.4 V
OUTA, OUTB端子
I
SINK
= 15mA
出力リーク電流
I
LEAK
10
μ
A
OUTA, OUTB = V
DD
出力更新周期
T
P
12.0 16.7 30.5
μs
表 6.磁気的特性一覧 (V
DD
=4.0～24.0V, Ta= −40～+125°C)
項目 記号
Min. Typ. Max.
単位 記事
縦磁場動作磁束密度
BopV 0.1 1.7 4.0
mT
縦磁場復帰磁束密度
BrpV
−4.0 −1.7 −0.1
mT
横磁場動作磁束密度
BopH 0.1 1.7 4.0
mT
横磁場復帰磁束密度
BrpH
−4.0 −1.7 −0.1
mT
ヒステリシス幅
BhV, BhH
1.5 3.4 6.8
mT
※ 上記の値は、ノイズ磁場成分（縦磁場検出時の横磁場、横磁場検出時の縦磁場）を 0 とした場合。
電気的特性
磁気的特性
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縦磁場磁束密度の極性の定義
ICマーキング面に垂直に印加される磁界を検出します。IC マーキング面が S極となる場合を正極、N極となる
場合を負極と定義します。
図 2.縦磁場の極性の定義
IC マーキング面に S極が配置される場合、仕様に定められた BopV で OUTA 信号は High電圧から Low 電圧
に変化します。N 極が配置される場合、仕様に定められた BrpV で OUTA 信号は Low電圧から High 電圧に変
化します。
図 3.縦磁場磁束密度と OUTA 信号の関係
S
N
IC マーキング面
IC パッケージ裏面
BhV
OUTA 信号
BopV
BrpV
S 極 N 極
0
磁界検知動作
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横磁場磁束密度の極性の定義
IC マーキング面と平行方向に印加される磁界を検出します。VSS端子、OUTB 端子側のパッケージ側面が S
極となる場合を正極、VSS端子、OUTB端子側のパッケージ側面が N 極となる場合を負極と定義します。
図 4.横磁場の極性の定義
VSS 端子、OUTB端子側のパッケージ側面に S 極が配置される場合、仕様に定められた BopH で OUTB信
号は High 電圧から Low 電圧に変化します。VSS 端子、OUTB 端子側のパッケージ側面に N 極が配置される
場合、仕様に定められた BrpH で OUTB信号は Low 電圧から High 電圧に変化します。
図 5.横磁場磁束密度と OUTB 信号の関係
S
N
IC マーキング面
Line Marking
IC パッケージ裏面
OUTB 端子
VSS 端子
BhH
OUTB 信号
BopH
BrpH
S 極 N 極
0
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図 6.出力変化のタイミング
※ V
DD
=12V 時とします。
※OUTA 信号,OUTB 信号の出力状態は、磁場サンプリングが終了してから約 6μs 後に変化します（プルアップ抵
抗値 10kΩ、負荷容量 20pF において、出力電圧が V
DD
の 50%になるまでの時間）。
動作タイミング
縦磁場磁束密度
横磁場磁束密度
BopV
BrpV
0
磁場サンプリング
周期
OUTA信号
OUTB信号
BopH
BrpH
0
T
P
: 16.7μs(Typ.)
t
t
t
t
t
0
0
t
6μs(Typ.)
BopV, BopH
OUTA
信号
OUTB
信号
t
6μs(Typ.)
磁束密度
磁束密度
磁場サンプリング
周期
磁場サンプリング
周期
t
t
0
0
tt
BrpV, BrpH
BopV, BopH
BrpV, BrpH
50%V
DD
50%V
DD
OUTA
信号
OUTB
信号
0
0
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図 7.感度の温度特性
図 8.消費電流の温度特性
標準温度特性(参考)
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外形寸法図
図 9.パッケージ外形寸法
(注 1) センサ中心は φ0.3mm の円内に位置します。
(注 2) リード平坦度：端子間のスタンドオフの差は最大 0.1mm とします。
(注 3) センサ感磁部はマーキング面からの深さ 0.71mm(Typ.)に位置します。
端子材料：銅系合金
端子めっき材：Sn 100％
端子めっき厚：10μm (Typ.)
パッケージ
1:VDD
2:TAB
3:OUTA
4:OUTB
5:TAB
6:VSS
Unit in mm
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図 10.パッケージマーキング
図 11.推奨動作回路
マーキングはレーザー印字となります。
製品識別番号：5(AK8777B)
デートコード：YWWL
Y：製造年
WW：製造週
L：ロット
推奨動作回路
マーキング
Line Marking
6 5 4
1 2 3
5YWWL
GND
V
DD
6 5 4
1 2 3
Top View
0.1μF
V
DD
V
DD
10kΩ10kΩ
Output (OUTB)
Output (OUTA)
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