AKM EM6011 仕様

[EM6011]

015001371-J-02 2017/08

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1. 概要

本ICは、ICマーキング面と垂直方向の交番磁界を検知して出力が変化する、交番磁界動作ホールICです。

2. 特長

 電源電圧: 3.8 ~ 24V

 動作温度範囲: -40 ~ 150ºC

 動作磁束密度: ±2.0mT(Typ.), ±3.0mT(Max.)

 信号出力タイプ: N-MOSオープンドレイン出力

 パッケージ: 3-pin SOP (小型パッケージ、RoHS対応、ハロゲンフリー)

Hall Effect Latch

EM6011

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3. 目次

1. 概要 .................................................................................................................................................. 1

2. 特長 .................................................................................................................................................. 1

3. 目次 .................................................................................................................................................. 2

4. ブロック図と機能説明 ........................................................................................................................ 3

4.1. ブロック図 ................................................................................................................................... 3

4.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 3

5. ピン配置と機能説明 ............................................................................................................................ 4

5.1. ピン配置 ....................................................................................................................................... 4

5.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 4

6. 絶対最大定格 ....................................................................................................................................... 5

7. 推奨動作条件 ....................................................................................................................................... 5

8. 電気的特性 .......................................................................................................................................... 6

9. 磁気的特性 .......................................................................................................................................... 7

10. 磁界検知動作 ................................................................................................................................... 8

10.1. 磁束密度の極性の定義 ............................................................................................................. 8

11. 外部接続回路例 ............................................................................................................................... 9

12. 標準温度特性(参考) ....................................................................................................................... 10

13. パッケージ ...................................................................................................................................... 11

13.1. 外形寸法図 .............................................................................................................................. 11

13.2. 端子材料 .................................................................................................................................. 11

13.3. ランドパターン ...................................................................................................................... 12

13.4. マーキング ............................................................................................................................. 12

重要な注意事項 ........................................................................................................................................ 13

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4. ブロック図と機能説明

4.1. ブロック図

Figure 1. EM6011 Block Diagram

4.2. 機能説明

Table 1. 各ブロックの機能

ブロック

機能

Hall Sensor

ICチップに内蔵されたモノリシック磁気センサです。

Chopper Switch

ホール素子のオフセットやノイズを低減する回路です。

Reverse Battery

Protection

電源の逆接続(VDDピン)からICを保護します。

Regulator

電源電圧をレギュレートし、IC内部動作電圧を作ります。

Bias

各回路に必要なバイアス電流を生成します。

AMP

ホール素子の信号を増幅します。

CMP

増幅されたホール出力電圧を閾値と比較し、保持します。

Oscillator

タイミングを制御するための発振回路です。

Timing Logic

チョッパスイッチや、サンプルホールドに必要なタイミング信号を生成し

ます。

Thermal Shutdown

短絡等の異常発熱からICを保護します。

Oscillator /

Timing Logic

Chopper Switch

AMP

CMP

VDD

OUT

VSS

Hall Sensor

Reverse Battery

Protection /

Regulator

Thermal Shutdown

Bias

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5. ピン配置と機能説明

5.1. ピン配置

Figure 2. ピン配置

5.2. 機能説明

Table 2. 各ピンの名称と機能

No.

ピン名

I/O

機能

特記事項

1

VDD

-

電源ピン

2

VSS

-

グラウンドピン (GND)

3

OUT

O

出力ピン

オープンドレイン

3

1

2

M 0 1 1

Y M D L

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6. 絶対最大定格

Table 3. 絶対最大定格

項目

記号

Min.

Max.

単位

特記事項

電源電圧

V

DD

−30

30

V

VSS = 0V

出力端子電圧

V

OUT

−0.3

30

V

OUT pin (VSS= 0V)

出力流入電流

I

SINK

−50

50

mA

OUT pin

動作温度範囲

Ta

−40

150

ºC

保存温度範囲

T

STG

−65

170

ºC

この値を超えた条件で使用した場合、デバイスを破壊することがあります。また通常の動作は保証され

ません。

7. 推奨動作条件

Table 4. 推奨動作条件

項目

記号

Min.

Typ.

Max.

単位

特記

電源電圧

V

DD

3.8

12

24

V

(*1)

出力端子電圧

V

OUT

0

24

V

出力流入電流

I

SINK

0

35

mA

出力端子負荷容量

C

L

100

pF

*1. 電源電圧は、下記に従います。

Figure 3. 入力電圧範囲

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8. 電気的特性

Table 5. 電気的特性 (V

DD

= 3.8 ~ 24V, Ta = −40 ~ 150ºC, Typ.はTa = 25ºC, V

DD

= 12V)

項目

記号

Min.

Typ.

Max.

単位

備考

特記

消費電流

I

DD

3

5

mA

出力“H”, “L”

出力漏れ電流

I

LEAK

0

10

µA

出力“H”

出力飽和電圧

V

SAT

0.4

V

出力“L”, I

SINK

= 20mA

出力立上り時間

Tr

1

µs

V

DD

= 12V

R

L

= 820Ω, C

L

= 20pF

V

OUT

= 10%V

DD

~ 90%V

DD

出力立下り時間

Tf

1

µs

V

DD

= 12V

R

L

= 820Ω, C

L

= 20pF

V

OUT

= 90%V

DD

~ 10%V

DD

逆接電源電流

IR

DD

−0.1

mA

V

DD

= −30V

出力更新周期

To

8.3

µs

出力Hi−Z開放電圧

V

RE

2.9

V

電源投入時の出力Hi−Z固

定を開放するV

DD

(*2)

出力短絡保護機能

動作温度

TSD

ON

185

205

225

ºC

サーマルシャットダウン

IC内センサー部温度

(*3)

出力短絡保護機能

復帰温度

TSD

OFF

175

195

215

ºC

サーマルシャットダウン

IC内センサー部温度

(*3)

*2. 電源投入時の出力波形

Figure 4. 電源投入時の出力波形

*3. IC内の温度センサー部温度がTSD

ON

を検知するとサーマルシャットダウンが動作し、出力トランジ

スはOFF、出力電流は遮断されます。温度が下がってTSD

OFF

を検知すると自動復帰します。

S極

N極

B

V

DD

OUT

V

RE

V

RE

0

[V]

[mT]

B > Bop

B<Brp

t

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9. 磁気的特性

Table 6. 磁気的特性 (V

DD

= 3.8 ~ 24V, Ta= -40 ~ 150ºC, Typ.はTa = 25ºC, V

DD

= 12V))

項目

記号

Min.

Typ.

Max.

単位

特記

動作磁束密度

Bop

1.0

2.0

3.0

mT

復帰磁束密度

Brp

−3.0

−2.0

−1.0

mT

ヒステリシス幅

Bh

2.3

4.0

5.7

mT

Bh = Bop − Brp

オフセット

Boff

-0.6

0.0

+0.6

mT

Boff = ( Bop + Brp) / 2

Figure 5. 磁気的特性

V

OUT

Bop

Brp

S極

N極

0

Bh/2

Boff

磁束密度

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10. 磁界検知動作

10.1. 磁束密度の極性の定義

ICマーキング面に垂直に印加される磁界を検知し、OUT信号が変化します。

ICマーキング面がS極となる場合を正極、N極となる場合を負極と定義します。

Figure 6. 磁場の極性の定義

ICマーキング面にS極が配置される場合、仕様に定められたBopでOUT電圧は、 “H”から “L”に変化しま

す。N極が配置される場合、仕様に定められたBrpでOUT電圧は、“L”から “H”に変化します。

Figure 7. 磁束密度とOUT電圧の関係

Bh

V

OUT

Bop

Brp

S極

N極

0

磁束密度

1

Marking

S

3

N

(正極性)

1

Marking

N

3

S

(負極性)

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11. 外部接続回路例

Figure 8. 外部接続回路例

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12. 標準温度特性(参考)

Figure 9. Bop , Brpの温度特性

Figure 10. 消費電流の温度特性

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

I

DD

[mA]

Ambient temperature Ta [℃]

I

DD

vs. Ta (in various V

DD

)

3.8V

12V

24V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

I

DD

[mA]

V

DD

[V]

I

DD

vs. V

DD

(in various Ta)

－40℃

25℃

50℃

150℃

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

I

DD

[mA]

Ambient temperature Ta [℃]

I

DD

vs. Ta (in various V

DD

)

3.8V

12V

24V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

I

DD

[mA]

V

DD

[V]

I

DD

vs. V

DD

(in various Ta)

－40℃

25℃

50℃

150℃

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13. パッケージ

13.1. 外形寸法図

3-pin SOP (Unit: mm)

Figure 11. 外形寸法

* センサ中心は、φ0.3mmの円内に位置します。

* 公差は、特に定める以外は±0.1mmとします。

* リード平坦度: 端子間のスタンドオフの差は、最大0.1mmとします。

* センサ感磁部は、マーキング面からの深さ0.36mm(Typ.)に位置します。

13.2. 端子材料

端子材料: 銅系合金

端子めっき材: Sn−2.0Bi

端子めっき厚: 10µm (Typ.)

1 : VDD

2 : VSS

3 : OUT

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13.3. ランドパターン

Figure 12 ランドパターン

13.4. マーキング

Figure 13. マーキング

マーキングはレーザ印字となります。

製品名 M011(EM6011)

デートコード YMDL

Y 製造年(西暦下 1 桁)

M 製造月

D 製造日

L ロット

3

1

2

M 0 1 1

Y M D L

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重要な注意事項

0. 本書に記載された弊社製品（以下、「本製品」といいます。）、および、本製品の仕様につきま

しては、本製品改善のために予告なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討

の際には、本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当、あるいは弊社特約

店営業担当にご確認ください。

1. 本書に記載された情報は、本製品の動作例、応用例を説明するものであり、その使用に際し

て弊社および第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うも

のではありません。お客様の機器設計において当該情報を使用される場合は、お客様の責任

において行って頂くとともに、当該情報の使用に起因してお客様または第三者に生じた損害

に対し、弊社はその責任を負うものではありません。

2. 本製品は、医療機器、航空宇宙用機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、原子力制御用

機器、各種安全装置など、その装置・機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、

生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を

要求される用途に使用されることを意図しておらず、保証もされていません。そのため、別

途弊社より書面で許諾された場合を除き、これらの用途に本製品を使用しないでください。

万が一、これらの用途に本製品を使用された場合、弊社は、当該使用から生ずる損害等の責

任を一切負うものではありません。

3. 弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、電子製品は一般に誤作動または故障する場

合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により、生命、身体、財

産等が侵害されることのないよう、お客様の責任において、本製品を搭載されるお客様の製

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出または非居住者に提供する場合は、「外国為替及び外国貿易法」その他の適用ある輸出関

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ください。

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ださい。本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制するRoHS指令等、適

用される環境関連法令を十分調査のうえ、かかる法令に適合するようにご使用ください。お

客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、弊社は一切の責任を負いか

ねます。

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た場合はお客様にて当該損害をご負担または補償して頂きますのでご了承ください。

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