[EM6011]
015001371-J-02 2017/08
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1. 概 要
本ICは、ICマーキング面と垂直方向の交番磁界を検知して出力が変化する、交番磁界動作ホールICです。
2. 特 長
電源電圧: 3.8 ~ 24V
動作温度範囲: -40 ~ 150ºC
動作磁束密度: ±2.0mT(Typ.), ±3.0mT(Max.)
信号出力タイプ: N-MOSオープンドレイン出力
パッケージ: 3-pin SOP (小型パッケージ、RoHS対応、ハロゲンフリー)
Hall Effect Latch
EM6011
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3. 目 次
1. 概 要 .................................................................................................................................................. 1
2. 特 長 .................................................................................................................................................. 1
3. 目 次 .................................................................................................................................................. 2
4. ブロック図と機能説明 ........................................................................................................................ 3
4.1. ブロック図 ................................................................................................................................... 3
4.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 3
5. ピン配置と機能説明 ............................................................................................................................ 4
5.1. ピン配置 ....................................................................................................................................... 4
5.2. 機能説明 ....................................................................................................................................... 4
6. 絶対最大定格 ....................................................................................................................................... 5
7. 推奨動作条件 ....................................................................................................................................... 5
8. 電気的特性 .......................................................................................................................................... 6
9. 磁気的特性 .......................................................................................................................................... 7
10. 磁界検知動作 ................................................................................................................................... 8
10.1. 磁束密度の極性の定義 ............................................................................................................. 8
11. 外部接続回路例 ............................................................................................................................... 9
12. 標準温度特性(参考) ....................................................................................................................... 10
13. パッケージ ...................................................................................................................................... 11
13.1. 外形寸法図 .............................................................................................................................. 11
13.2. 端子材料 .................................................................................................................................. 11
13.3. ランドパターン ...................................................................................................................... 12
13.4. マーキング ............................................................................................................................. 12
重要な注意事項 ........................................................................................................................................ 13
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4. ブロック図と機能説明
4.1. ブロック図
Figure 1. EM6011 Block Diagram
4.2. 機能説明
Table 1. 各ブロックの機能
ブロック
機能
Hall Sensor
ICチップに内蔵されたモノリシック磁気センサです。
Chopper Switch
ホール素子のオフセットやノイズを低減する回路です。
Reverse Battery
Protection
電源の逆接続(VDDピン)からICを保護します。
Regulator
電源電圧をレギュレートし、IC内部動作電圧を作ります。
Bias
各回路に必要なバイアス電流を生成します。
AMP
ホール素子の信号を増幅します。
CMP
増幅されたホール出力電圧を閾値と比較し、保持します。
Oscillator
タイミングを制御するための発振回路です。
Timing Logic
チョッパスイッチや、サンプルホールドに必要なタイミング信号を生成し
ます。
Thermal Shutdown
短絡等の異常発熱からICを保護します。
Oscillator /
Timing Logic
Chopper Switch
AMP
CMP
VDD
OUT
VSS
Hall Sensor
Reverse Battery
Protection /
Regulator
Thermal Shutdown
Bias
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5. ピン配置と機能説明
5.1. ピン配置
Figure 2. ピン配置
5.2. 機能説明
Table 2. 各ピンの名称と機能
No.
ピン名
I/O
機能
特記事項
1
VDD
-
電源ピン
2
VSS
-
グラウンドピン (GND)
3
OUT
O
出力ピン
オープンドレイン
3
1
2
M 0 1 1
Y M D L
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6. 絶対最大定格
Table 3. 絶対最大定格
項目
記号
Min.
Max.
単位
特記事項
電源電圧
V
DD
−30
30
V
VSS = 0V
出力端子電圧
V
OUT
−0.3
30
V
OUT pin (VSS= 0V)
出力流入電流
I
SINK
−50
50
mA
OUT pin
動作温度範囲
Ta
−40
150
ºC
保存温度範囲
T
STG
−65
170
ºC
この値を超えた条件で使用した場合、デバイスを破壊することがあります。また通常の動作は保証され
ません。
7. 推奨動作条件
Table 4. 推奨動作条件
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
特記
電源電圧
V
DD
3.8
12
24
V
(*1)
出力端子電圧
V
OUT
0
24
V
出力流入電流
I
SINK
0
35
mA
出力端子負荷容量
C
L
100
pF
*1. 電源電圧は、下記に従います。
Figure 3. 入力電圧範囲
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8. 電気的特性
Table 5. 電気的特性 (V
DD
= 3.8 ~ 24V, Ta = −40 ~ 150ºC, Typ.はTa = 25ºC, V
DD
= 12V)
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
備考
特記
消費電流
I
DD
3
5
mA
出力“H”, “L”
出力漏れ電流
I
LEAK
0
10
µA
出力“H”
出力飽和電圧
V
SAT
0.4
V
出力“L”, I
SINK
= 20mA
出力立上り時間
Tr
1
µs
V
DD
= 12V
R
L
= 820Ω, C
L
= 20pF
V
OUT
= 10%V
DD
~ 90%V
DD
出力立下り時間
Tf
1
µs
V
DD
= 12V
R
L
= 820Ω, C
L
= 20pF
V
OUT
= 90%V
DD
~ 10%V
DD
逆接電源電流
IR
DD
−0.1
mA
V
DD
= −30V
出力更新周期
To
8.3
µs
出力Hi−Z開放電圧
V
RE
2.9
V
電源投入時の出力Hi−Z固
定を開放するV
DD
(*2)
出力短絡保護機能
動作温度
TSD
ON
185
205
225
ºC
サーマルシャットダウン
IC内センサー部温度
(*3)
出力短絡保護機能
復帰温度
TSD
OFF
175
195
215
ºC
サーマルシャットダウン
IC内センサー部温度
(*3)
*2. 電源投入時の出力波形
Figure 4. 電源投入時の出力波形
*3. IC内の温度センサー部温度がTSD
ON
を検知するとサーマルシャットダウンが動作し、出力トランジ
スはOFF、出力電流は遮断されます。温度が下がってTSD
OFF
を検知すると自動復帰します。
S極
N極
B
V
DD
OUT
V
RE
V
RE
0
0
0
0
0
0
[V]
[V]
[V]
[V]
[mT]
[mT]
B > Bop
B<Brp
t
t
t
t
t
t
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9. 磁気的特性
Table 6. 磁気的特性 (V
DD
= 3.8 ~ 24V, Ta= -40 ~ 150ºC, Typ.はTa = 25ºC, V
DD
= 12V))
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
特記
動作磁束密度
Bop
1.0
2.0
3.0
mT
復帰磁束密度
Brp
−3.0
−2.0
−1.0
mT
ヒステリシス幅
Bh
2.3
4.0
5.7
mT
Bh = Bop − Brp
オフセット
Boff
-0.6
0.0
+0.6
mT
Boff = ( Bop + Brp) / 2
Figure 5. 磁気的特性
V
OUT
Bop
Brp
S極
N極
0
Bh/2
Bh/2
Boff
磁束密度
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10. 磁界検知動作
10.1. 磁束密度の極性の定義
ICマーキング面に垂直に印加される磁界を検知し、OUT信号が変化します。
ICマーキング面がS極となる場合を正極、N極となる場合を負極と定義します。
Figure 6. 磁場の極性の定義
ICマーキング面にS極が配置される場合、仕様に定められたBopでOUT電圧は、 “H”から “L”に変化しま
す。N極が配置される場合、仕様に定められたBrpでOUT電圧は、“L”から “H”に変化します。
Figure 7. 磁束密度とOUT電圧の関係
Bh
V
OUT
Bop
Brp
S極
N極
0
磁束密度
1
Marking
S
3
N
(正極性)
1
Marking
N
3
S
(負極性)
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11. 外部接続回路例
Figure 8. 外部接続回路例
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12. 標準温度特性(参考)
Figure 9. Bop , Brpの温度特性
Figure 10. 消費電流の温度特性
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
I
DD
[mA]
V
DD
[V]
I
DD
vs. V
DD
(in various Ta)
－40℃
25℃
50℃
150℃
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
I
DD
[mA]
Ambient temperature Ta [℃]
I
DD
vs. Ta (in various V
DD
)
3.8V
12V
24V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
I
DD
[mA]
V
DD
[V]
I
DD
vs. V
DD
(in various Ta)
－40℃
25℃
50℃
150℃
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13. パッケージ
13.1. 外形寸法図
3-pin SOP (Unit: mm)
Figure 11. 外形寸法
* センサ中心は、φ0.3mmの円内に位置します。
* 公差は、特に定める以外は±0.1mmとします。
* リード平坦度: 端子間のスタンドオフの差は、最大0.1mmとします。
* センサ感磁部は、マーキング面からの深さ0.36mm(Typ.)に位置します。
13.2. 端子材料
端子材料: 銅系合金
端子めっき材: Sn−2.0Bi
端子めっき厚: 10µm (Typ.)
1 : VDD
2 : VSS
3 : OUT
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13.3. ランドパターン
Figure 12 ランドパターン
13.4. マーキング
Figure 13. マーキング
マーキングはレーザ印字となります。
製品名 M011(EM6011)
デートコード YMDL
Y 製造年(西暦下 1 桁)
M 製造月
D 製造日
L ロット
3
1
2
M 0 1 1
Y M D L
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重要な注意事項
0. 本書に記載された弊社製品（以下、「本製品」といいます。）、および、本製品の仕様につきま
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店営業担当にご確認ください。
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途弊社より書面で許諾された場合を除き、これらの用途に本製品を使用しないでください。
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た場合はお客様にて当該損害をご負担または補償して頂きますのでご了承ください。
7. 本書の全部または一部を、弊社の事前の書面による承諾なしに、転載または複製することを
禁じます。
Rev.1
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
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12
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13
