[ EQ0321]
MS1436-J-03 2014/04
- 1 -
EQ0321 は、２個のホールセンサと処理回路を内蔵するホール IC です。小型モジュールに実装する
手ブレ補正用レンズや AF レンズ・Zoom レンズ等の精密位置検出に最適です。
■ 精密位置検出用途に最適で、磁石とセンサの温度特性をキャンセル可能
■ 内部に２個のホールセンサを内蔵し、各ホールセンサ部に印加される磁束密度を演算した①式に
比例した電圧を出力
（B1－B2）／（B1＋B2） ・・・ ①※
※B1、B2 はホールセンサ部に印加される磁束密度
■ 出力ゲインおよび中点電圧は４線式 SPI により調整可能
■ パワーダウン機能搭載
■ 低消費電流
■ 動作電圧； V
DD
：2.7～5.5V
■ 小型パッケージ；10pinSON (サイズ：2.9×3.2×t0.6mm)
■ 使用温度範囲；-30℃～85℃
■ ハロゲンフリー製品
EQ0321
１
１１
１
１
１１
１
軸
軸軸
軸
軸
軸軸
軸
位
位位
位
位
位位
位
置
置置
置
置
置置
置
検
検検
検
検
検検
検
出
出出
出
出
出出
出
用
用用
用
用
用用
用
プ
ププ
プ
プ
ププ
プ
ロ
ロロ
ロ
ロ
ロロ
ロ
グ
ググ
グ
グ
ググ
グ
ラ
ララ
ラ
ラ
ララ
ラ
マ
ママ
マ
マ
ママ
マ
ブ
ブブ
ブ
ブ
ブブ
ブ
ル
ルル
ル
ル
ルル
ル
リ
リリ
リ
リ
リリ
リ
ニ
ニニ
ニ
ニ
ニニ
ニ
ア
アア
ア
ア
アア
ア
ホ
ホホ
ホ
ホ
ホホ
ホ
ー
ーー
ー
ー
ーー
ー
ル
ルル
ル
ル
ルル
ル
I
I
C
C
特長
特長特長
特長
概要
概要概要
概要
[ EQ0321]
MS1436-J-03 2014/04
- 2 -
■ Fig.1 のように磁石と EQ0321 を配置する
■ Fig.2 のようにインデックスマークを左下に配置した状態で
磁石を左（－側）から右（＋側）に移動させた場合に出力が増加する（Fig.3）
（１）ブロックダイアグラム
（２）各ブロック機能詳細
ブロック名 機能
HE1, HE2
同一パッケージ内に内蔵された２つのホール素子（HE1, HE2）です。
CONTROL BLOCK
（B1－B2）／（B1＋B2）の演算、ゲイン調整、オフセット調整、HE DRIVE の制
御などを行います。
HE DRIVE
同一パッケージ内に接続された２つのホール素子に駆動電圧を供給します。
VOLTAGE REFERENCE
内部基準電圧を発生します。
V
OUT
[V]
V
DD
VsatH
VsatL
V
SS
(－側)
V
OUT
＝演算×1V×設定ゲイン
演算：
（B1－B2）／（B1＋B2）
・B1、B2はホールセンサに印加される磁束密度
（＋側）
ブロック
ブロックブロック
ブロック図
図図
図
HE1
VDD VSS
VOLTAGE
REFERENCE
CONTROL BLOCK
RSTN
VOUT
HE DRIVE
HE2
VCOM
CSN SCK SI SO TSTO
N
S
－側 ＋側
Fig.1
磁石と
EQ0321
の配置
Fig.2
磁石移動方向の定義
Fig.4
EQ0321
ブロックダイアグラム
機能
機能機能
機能
・
・・
・
動作
動作動作
動作
Fig.3
磁石移動距離に対する
V
OUT
の変化
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 3 -
（１）端子機能
端子
番号
端子
名称
タイプ
(注 1)
I/O
(注 2)
端子機能・条件説明
1 RSTN D I
リセット入力端子：
“Low”にするとパワーダウンモードになります。
“Low”状態で電源を立ち上げて下さい。
2 CSN D I
チップセレクト入力端子
3 SCK D I
クロック入力端子
4 SI D I
データ入力端子
5 SO D O
データ出力端子
6 VOUT A O
出力端子：
磁石の位置に比例した電圧を出力します。
最大容量負荷 20pF、最小抵抗負荷 100kΩです。
7 TSTO A O
テスト端子：
V
SS
に接続して下さい。
8 VCOM
A O
内部リファレンス出力端子：
V
DD
/2 の電圧を出力します。
0.01µF 外付けして下さい。抵抗負荷禁止です。
9 VSS GND
－ グランド端子
10 VDD PWR
－ 電源端子
注１） A（アナログ端子）、D（デジタル端子）、GND（グランド端子）、PWR（パワー端子）
注２） I（入力端子）、O（出力端子）
（２）端子配置
入出力端子
入出力端子入出力端子
入出力端子・
・・
・機能
機能機能
機能・
・・
・条件
条件条件
条件
10pin SON
1
2
4
SCK
RSTN
VSS
SO
SI
VDD
3
10
9
7
8
6
CSN
TSTO
VOUT
5
VCOM
Fig.5
端子配置図
TOP VIEW
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 4 -
特に指定が無い限り
Ta=25
℃
項目 記号
Min. Max.
単位 備考
電源電圧
V
DD
-0.3 6.0 V
V
SS
基準
入力電圧 V
IN
-0.3 V
DD
+0.3 V V
SS
基準
保存温度 Tstg -40 125 ℃
※絶対最大定格を超えて使用した場合、
IC
を破壊する恐れがあります。
項目 記号
Min Typ Max
単位 備考
電源電圧
V
DD
2.7 5.5 V
V
SS
基準
動作温度
Ta -30 85
℃
印加磁束密度範囲（注 1）
Bin 15 150 mT
差磁束範囲（注 2）
Bsub -120 120 mT
和磁束範囲（注 3）
Badd 70 250 mT
差／和磁束範囲（注 4）
Bdiv -0.7 0.7 -
注１）
1
つのホールセンサに印加される磁束密度範囲
注２）
2
個のホールセンサに印加される磁束密度の差の使用可能範囲
注３）
2
個のホールセンサに印加される磁束密度の和の使用可能範囲
注４）
2
個のホールセンサに印加される差磁束密度／和磁束密度の使用可能範囲
絶対最大定格
絶対最大定格絶対最大定格
絶対最大定格
推奨動作条件
推奨動作条件推奨動作条件
推奨動作条件
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 5 -
（１）アナログ特性
動作条件
;
特に指定の無い限り
Ta= 25
℃
, V
DD
= 2.7V
～
5.5V,
ゲイン
2.4
倍
,
中点調整
0mV
項目
項目項目
項目
記号
記号記号
記号
試験条件
試験条件試験条件
試験条件
Min. Typ. Max.
単位
単位単位
単位
ｽﾀﾝﾊﾞｲ電流
SIDD RSTN=V
SS
,
Bsub=0mT,Badd=80mT
5 µA
動作時電流
DIDD RSTN=V
DD
,
Bsub=0mT,Badd=80mT
5.5 7.5 mA
差磁場に対する
出力感度
Vh
（注
1
）
Bsub=±8mT,Badd=80mT
28.5 30.0 31.5 mV/mT
中点電圧
VOUT0
Bsub=0mT,Badd=80mT V
DD
/2
-0.15
V
DD
/2 V
DD
/2
+0.15
V
出力飽和電圧
H
Vsath
100k
Ω対
VSS
負荷
V
DD
-0.3 V
DD
V
出力飽和電圧
L
Vsatl
100k
Ω対
VDD
負荷
0 0.3 V
立ち上がり時間
tpon
（注
2
）リセット解除から中点電圧
の
±1%
以内に達するまでの時間
Bsub=0mT,Badd=80mT
1 ms
リセット解除時間
tRST
（注
2
）電源電圧安定後、
リセット解除までの時間
0.5 ms
出力感度
温度ドリフト（注
3
）
Vhd
（注
4
）
Ta=-30
～
85
℃
,25
℃基準
Badd=150mT
±
2
%
中点電圧
温度ドリフト（注
3
）
Vofd
（注
5
）
Ta=-30
～
85
℃
,25
℃基準
Badd=150mT
±
30
mV
出力ノイズ（注
3
）
Vn
（注
6
）
fc=2kHz
の外付け
1
次
LPF
通過後
,Badd=150mT
0.2 mVrms
帯域幅（注
3
）
fT 10 kHz
注１） 和磁束密度
Badd
（
mT
）を一定とし、差磁束密度
Bsub(mT)
を印加した場合の出力電圧を
Vout(Bsub)
とします。中
点電圧
Vout
（
Bsub=0
）及び、
Vout
（
Bsub=+8
）と
Vout
（
Bsub=-8
）の
3
点で最小二乗近似直線を求め、その傾きを
出力感度
Vh
（
mV/mT
）とします。
Vout = { Bsub / Badd } × GAIN × 1000 + VOUT0 [mV]
電気的仕様
電気的仕様電気的仕様
電気的仕様
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 6 -
注２） 電源立ち上がり時動作
注３） 設計参考値です。量産時にはテストを行いません。
注４） 温度
Ta[
℃
]
のときの出力感度を
Vh(Ta)
とします。
25
℃のときの出力感度
Vh(25)
を基準とし、
Vh(Ta)
の変化の割合
を出力感度温度ドリフト
Vhd[%]
とします。
Vhd
＝
{[Vh(Ta) – Vh(25)]
／
Vh(25) } × 100 [%]
注５） 温度
Ta[
℃
]
のときの中点電圧を
V
OUT 0
(Ta)
とします。
25
℃のときの中点電圧
V
OUT 0
(25)
を基準とし、
V
OUT 0
(Ta)
の温
度に対する変化量を、中点電圧温度ドリフト
Vofd[mV]
とします。
Vofd
＝
V
OUT 0
(Ta) – V
OUT 0
(25) [mV]
注６）
VOUT
端子 ノイズ測定時 外付け
1
次
LPF
回路
VDD
RSTN
VOUTX/Y
tRST
tpon
中点電圧の±1％
tRSTL
VSS
0.01
µ
F
VOUT
8.2
ｋ
Ω
EQ
0321
Fig.6
電源立ち上がり時動作
Fig.7
外付け
1
次
LPF
回路図
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 7 -
（２）－１ デジタル DC 特性
動作条件
;
特に指定の無い限り
Ta= -30
℃～
85
℃
, V
DD
= 2.7V
～
5.5V
項目
項目項目
項目
記号
記号記号
記号
試験条件
試験条件試験条件
試験条件
Min. Max.
単位
単位単位
単位
H
レベル入力電圧
VIH
RSTN,CSN,SCK,SI
端子
0.8V
DD
V
DD
V
L
レベル入力電圧
VIL
RSTN,CSN,SCK,SI
端子
0 0.2V
DD
V
H
レベル出力電圧
VOH
SI
端子
,IOH=-400µA
V
DD
-0.4 V
L
レベル出力電圧
VOL
SI
端子
,IOL=+400µA
0.4 V
入力リーク電流
ILI
RSTN,CSN,SCK,SI
端子
-10 +10 µA
出力リーク電流
IHL
SO
端子
-10 +10 µA
（２）－２ デジタル AC 特性
動作条件
;
特に指定の無い限り
Ta= -30
℃～
85
℃
, V
DD
= 2.7V
～
5.5V
項目
項目項目
項目
記号
記号記号
記号
試験条件
試験条件試験条件
試験条件
Min. Max.
単位
単位単位
単位
SCK
周波数
fSK 10 MHz
CSN
立下前の
SCK
ｾｯﾄｱｯﾌﾟ時間
tSKSH 20 ns
SCK
立上前の
CSN
ｾｯﾄｱｯﾌﾟ時間
tCSS 40 ns
SCK
ﾊﾟﾙｽ幅
tSKW 40 ns
SCK
立上時間
tRC
（注
1
）
10 ns
SCK
立下時間
tFC
（注
1
）
10 ns
SI
ｾｯﾄｱｯﾌﾟ時間
tDIS 15 ns
SI
ﾎｰﾙﾄﾞ時間
tDIH 15 ns
SI
立上時間
tRD
（注
1
）
10 ns
SI
立下時間
tFD
（注
1
）
10 ns
SO
出力遅延時間
tPD 25 ns
SO
ﾊｲｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ時間
tOZ
（注
1
）（注
2
）
40 ns
SO
出力ﾎｰﾙﾄﾞ時間
tOHD 0 ns
SCK
立上後の
CSN
ﾎｰﾙﾄﾞ時間
tCSH 40 ns
CS
立ち上げ後の
SCK
ﾎｰﾙﾄﾞ時間
tSKH 20 ns
CSN
ﾊｲﾚﾍﾞﾙ最小時間
tCS 40 ns
EEPROM
ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ時間
tWR 10 20 ms
ﾘｾｯﾄ時間
tRSTL
（注
3
）
10 µs
注１） 設計参考値です。量産時にはテストを行いません。
注２）
SO
端子の分割抵抗
1k
Ω、
SO
出力
:0V→0.2V
又は
V
DD
→V
DD
-0.2V
のﾃﾞｨﾚｲ値。
注３） 電源立ち上がり時動作（
(1)
アナログ特性 注２）参照
1kΩ
SO
1kΩ
Fig.8
SO ﾊｲｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ時間測定時
外付け回路
V
DD
=2.7～
5.5V
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 8 -
■
AC
測定条件
入力電圧：
0.1V
DD
(Low)
～
0.9V
DD
（
High
）
判定条件：
0.5V
DD
出力負荷：
CL=30pF
■タイミング波形１
命令入力時タイミング
READ
時データ出力タイミング
CL=30pF
SO
AC
特性測定時
出力負荷回路
tSKW
tSKW
tDIS
tDIH
A0
Hi-Z
D7
D6
"L"
"H"
t
PD
tPD
SCK
CSN
SI
SO
A1
tOHD
CSN
tCS
tCSS
tSKSH
tDIS
tDIH
0
0
0
Hi-Z
SI
SO
tRC
tFC
SCK
tSKW
tSKW
tFD
tRD
Fig.9
AC 特性測定時
出力負荷回路
Fig.10
Fig.11
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 9 -
■タイミング波形２
READ
時データ出力終了時タイミング
WRITEデータ入力終了タイミング
（３）EEPROM 特性
動作条件
;
特に指定の無い限り
Ta= -30
℃～
85
℃
, V
DD
= 2.7V
～
5.5V
項
目
記号
Min. Max.
単位
EEPROM
書き換え回数
EEN
- 1000
回
EEPROM
データ保持時間
ERE
10 -
年
注）
1000
回以上の書き換えが行われた場合、データ保持は保証いたしません。
D0
tOZ
D1
SCK
CSN
SI
SO
tCS
tCSS
t
SKSH
tPD
t
OHD
Hi-Z
0
tSKH
tCSH
Hi-Z
D2
D1
D0
SCK
CSN
SI
SO
tSKH
tWR
Fig.12
Fig.13
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 10 -
（１）出力電圧、及び ゲイン設定値、中点電圧調整値
EQ0321
は、内部に２個のホールセンサを内蔵し、各ホールセンサ部に印加される磁束密度
(B1,B2
）を演算した電圧を出
力電圧
V
OUT
を出力します。
V
OUT
[mV] = { Bsub / Badd } × GAIN × 1000 + OFFSET + VOUT0
Bsub [mT]
＝
B1
－
B2
Badd [mT]
＝
B1
＋
B2
ゲイン設定値
(GAIN)
と中点電圧調整値
(OFFSET)
は、シリアルインターフェースでデータを設定します。
（２）シリアルインターフェース
EQ0321
は、
CSN,SCK,SI,SO
による４線式の同期式シリアルインターフェースにより、
EEPROM
メモリに設定データの
書き込み、読み出しを行います。各命令は、それぞれ８ビット単位で構成される
オペコード、アドレス、データによって構成
されます。
データの入出力はシリアルクロック
SCK
に同期しており、クロックの立ち上がりエッジでデータは取り込まれ、クロックの
立ち下がりエッジでデータは出力されます。
■命令一覧
命令
オペコード
アドレス
データ
内
容
WRITE 0000 ×010
A7-A0 D7-D0 (in)
EEPROM
書き込み
READ 0000 ×011
A7-A0 D7-D0 (out) EEPROM
読み出し
WREN 0000 ×110
EEPROM
書き込み許可命令
WRDI 0000 ×100
EEPROM
書き込み禁止命令
x : Don’t care
■メモリマップ
Memory
Name
アドレス
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
GAIN 00h 0 0 GA5 GA4 GA3 GA2 GA1 GA0
OFFSET 01h 0 0 0 0 OF3 OF2 OF1 OF0
注） アドレス
00h
～
01h
以外のアドレスへの書き込みは禁止です。
機能説明
機能説明機能説明
機能説明
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 11
-
■
WREN
命令／
WRDI
命令
EEPROM
は、書き込み禁止状態と書き込み許可状態の
2
つの状態を持っています。
WREN
命令の入力後は書き
込み許可状態
、
WRDI
命令の入力後は書き込み禁止状態になります。
書き込み禁止状態では
EEPROM
への
WRITE
命令は実行されず、
WRITE
命令入力の前には
WREN
命令を入力し
なければなりません。
WRITE
命令終了後は、自動的に書込み禁止状態になりますので、
WRITE
命令の度に必ず毎回
WREN
命令を入力する必要があります。書込み禁止状態にて
WRITE
命令が入力された場合には、
WRITE
命令は無視
されます。電源立ち上げ時、書き込み禁止状態で立ち上がります。
WREN
命令
WRDI
命令
■
WRITE
命令
WRITE
命令により
EEPROM
への書き込みを実行することが出来ます。
EEPROM
への
WRITE
命令は、
CSN
端子を
"High"
から
"Low"
にした後、
オペコード、アドレス、データを
SI
端子から入
力します。命令入力後、
24
回目の
SCK
立ち上がりにすると、
EEPROM
書込内部プログラミングサイクルが始まります。
命令終了時の
CSN
端子の立ち上げは、
24
回目の
SCK
の立ち上がりから
EEPROM
の書き込みに必要な時間（
(2)-2
デ
ジタル
AC
特性
EEPROM
ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ時間）待った後、次の
SCK
クロックの立ち上がりエッジが入力される前に
CSN
端子を
"Low"
から
"High"
に立ち上げて下さい。これにより、
EEPROM
書込内部プログラミングサイクルは終了します。これ以外の
タイミングで
CSN
が立ち上がった場合には
WRITE
命令は実行されません。
8
1
2
3
4
5
6
7
1
×
0
0
0
0
1
0
Hi
-
Z
CSN
SCK
SI
SO
×=ドント・ケア
8
1
2
3
4
5
6
7
1
×
0
0
0
0
0
0
Hi
-
Z
CSN
SCK
SI
SO
×=ドント・ケア
×
=Don’t care
×
=Don’t care
Fig.14
Fig.15
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 12 -
SI
SCK
CSN
O7
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
A4
A5
A6
A7
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O0
A0
A1
A2
A3
SO
Hi-Z
16
17
18
19
20
21
22
23
D4
D5
D6
D7
D0
D1
D2
D3
O7-O0
：オペコード、
A7-A0
：アドレス、
D7-D0
：データ
WRITE
シーケンス
■
READ
命令
READ
命令により
EEPROM
メモリのデータを読み出すことが出来ます。
READ
命令は
CSN
端子を
"High"
から
"Low"
にした後、オペコード、アドレスを
SI
端子から入力します。その後、指定し
たアドレスのデータ（
D7-D0
）が
SO
端子から出力されます。
尚、アドレス最終ビット
(A0)
取り込み後の
SI
端子上のデータは無視されます。
SI
SCK
CSN
O7
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
A4
A5
A6
A7
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O0
A0
A1
A2
A3
SO
Hi-Z
16
17
18
19
20
21
22
23
D4
D5
D6
D7
D0
D1
D2
D3
Hi-Z
O7-O0
：オペコード、
A7-A0
：アドレス、
D7-D0
：データ
READ
シーケンス
Fig.16
Fig.17
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 13 -
詳細説明
・出力ゲイン設定（メモリ名 GAIN）
CSN,SCK,SI,SO
の４線式シリアルインターフェースにより、出力端子
VOUT
のゲインを切り替えることが可能
です。設定データを
EEPROM
に書き込みます。出荷時の状態は、ゲイン
2.4
倍です。
設定値
GA[5]～GA[0]
ゲイン
[倍]
設定値
GA[5]～GA[0]
ゲイン
[倍]
000000 1.4 010000 3.0
000001 1.5 010001 3.1
000010 1.6 010010 3.2
000011 1.7 010011 3.3
000100 1.8 010100 3.4
000101 1.9 010101 3.5
000110 2.0 010110 3.6
000111 2.1 010111 3.7
001000 2.2 011000 3.8
001001 2.3 011001 3.9
001010
2.4（出荷時）
011010 4.0
001011 2.5 011011 4.1
001100 2.6 011100 4.2
001101 2.7 011101 4.3
001110 2.8 011110 4.4
001111 2.9 011111 4.5
設定値
GA[5]～GA[0]
ゲイン
[倍]
設定値
GA[5]～GA[0]
ゲイン
[倍]
100000 4.6 110000 6.2
100001 4.7 110001 6.3
100010 4.8 110010 6.4
100011 4.9 110011 6.5
100100 5.0 110100 6.6
100101 5.1 110101 6.7
100110 5.2 110110 6.8
100111 5.3 110111 6.9
101000 5.4 111000 7.0
101001 5.5 111001 7.1
101010 5.6 111010 7.2
101011 5.7 111011 7.3
101100 5.8 111100 7.4
101101 5.9 111101 7.5
101110 6.0 111110 7.6
101111 6.1 111111 7.7
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 14 -
・中点電圧調整（メモリ名 OFFSET）
CSN,SCK,SI,SO
の４線式シリアルインターフェースにより、出力端子
VOUT
の
DC
調整を切り替えることが可
能です。設定データを
EEPROM
に書き込みます。出荷時の状態は、
DC
調整
0mV
です。
設定値
OF[3]～OF[0]
DC 調整
[mV]
設定値
OF[3]～OF[0]
DC 調整
[mV]
0000
0（出荷時）
1000 0
0001 +100 1001 -100
0010 +200 1010 -200
0011 +300 1011 -300
0100 +400 1100 -400
0101 +500 1101 -500
0110 +600 1110 -600
0111 +700 1111 -700
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 15 -
外形寸法図 （単位：mm）
10pin SON
■端子
１：
RSTN
２：
CSN
３：
SCK
４：
SI
５：
SO
６：
VOUT
７：
TSTO
８：
VCOM
９：
VSS
１０：
VDD
１１：
N.C.
（
OPEN
）
注１） センサ中心はφ
0.2mm
の円内に位置します。
注２） センサ面は、パッケージ表面から
0.26mm
に位置します。
注３） 公差は特に定める以外は±
0.1mm
とします。
注４） 端子切断面には半田メッキはついておりません。
パッケージタイプ：
SON
端子材質：
Cu
端子めっき材：
Sn 100%
端子めっき厚：
10µm (typ.)
パッケージ
パッケージパッケージ
パッケージ
Fig.18
EQ0321
外形寸法図
3.2
2.9
0.6
±0.05mm
0.15
0.25
0.5
0.2
0.35
0.35
1.4
0.18
0.45
0.15
Sensor
Center
Sensor
Center
HE2
HE1
0
.
2
0
.
2
(0.26)
１
１１
１
２
２２
２
３
３３
３
４
４４
４
５
５５
５
１０
１０１０
１０
９
９９
９
８
８８
８
７
７７
７
６
６６
６
１１
１１１１
１１
2.2
±0.07
0.34
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 16 -
マーク表示はレーザー印刷となります。
グレード識別番号 年 月
印字 対応グレード 印字 対応年 印字 対応月
1
ＥＱ０３２１
0
２０２０年
C
１月
2 1
２０１１年
D
２月
3 2
２０１２年
E
３月
4 3
２０１３年
F
４月
5 4
２０１４年
G
５月
6 5
２０１５年
H
６月
7 6
２０１６年
J
７月
8 7
２０１７年
K
８月
9 8
２０１８年
L
９月
0 9
２０１９年
M
１０月
N
１１月
Ｐ １２月
マーキング
マーキングマーキング
マーキング情報
情報情報
情報
1 2 H 1
ロット
製造月（
6
月）
製造年（２０１
2
月）
グレード識別番号
Fig.19
マーキング情報
推奨
推奨推奨
推奨ランド
ランドランド
ランド形状
形状形状
形状
Fig.20
推奨ランド形状図
X
1
X
2
X
3
X
4
X
1
X
2
X
3
X
4
0.25 0.25
0.552.7
0.5
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 17 -
本製品はテーピング包装（
3,000
個／リール）にて納入いたします。
（１）キャリアテープ寸法 （単位：mm）
（２）キャリアテープ用リール寸法 （単位：mm）
素子挿入向き
Fig.21
キャリアテープ寸法図と素子挿入向き
Fig.22
キャリアテープ用リール寸法図
テーピング
テーピングテーピング
テーピング情報
情報情報
情報
1 2 H 1
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 18 -
下に示す温度プロファイル条件内でリフロー可能です。
リフロー
リフローリフロー
リフロー実装条件
実装条件実装条件
実装条件
Fig.23
リフロープロファイル
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 19 -
外部回路接続推奨例
外部回路接続推奨例外部回路接続推奨例
外部回路接続推奨例
EQ0321
RSTN
CSN
SCK
SI
SO
VDD
VSS
VCOM
TSTO
VOUT
V
DD
= 2.7～5.5V
1μF
0.01μF
4-wire SPI I/F
HOST CPU
Fig.24
推奨回路図
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 20 -
重要な注意事項
0.
本書に記載された弊社製品（以下、「本製品」といいます。）、および、本製品の仕様につきましては、本製品改善のた
めに予告なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した情報が最新のものである
ことを弊社営業担当、あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください。
1.
本書に記載された情報は、本製品の動作例、応用例を説明するものであり、その使用に際して弊社および第三者の知
的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。お客様の機器設計において当
該情報を使用される場合は、お客様の責任において行って頂くとともに、当該情報の使用に起因してお客様または第
三者に生じた損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません。
2.
本製品は、医療機器、航空宇宙用機器、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、原子力制御用機器、各種安全装置な
ど、その装置・機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼすこと
が通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に使用されることを意図しておらず、保証もされていませ
ん。そのため、別途弊社より書面で許諾された場合を除き、これらの用途に本製品を使用しないでください。万が一、こ
れらの用途に本製品を使用された場合、弊社は、当該使用から生ずる損害等の責任を一切負うものではありません。
3.
弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、電子製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品
をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により、生命、身体、財産等が侵害されることのないよう、お客様の責任
において、本製品を搭載されるお客様の製品に必要な安全設計を行うことをお願いします。
4.
本製品および本書記載の技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用の目的、あるいはその他軍事用途
の目的で使用しないでください。本製品および本書記載の技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、「外国
為替及び外国貿易法」その他の適用ある輸出関連法令を遵守し、必要な手続を行ってください。本製品および本書記
載の技術情報を国内外の法令および規則により製造、使用、販売を禁止されている機器・システムに使用しないでくだ
さい。
5.
本製品の環境適合性等の詳細につきましては、製品個別に必ず弊社営業担当までお問合せください。本製品のご使
用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する
RoHS
指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、かかる
法令に適合するようにご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じた損害に関して、弊社は一切
の責任を負いかねます。
6.
お客様の転売等によりこの注意事項に反して本製品が使用され、その使用から損害等が生じた場合はお客様にて当
該損害をご負担または補償して頂きますのでご了承ください。
7.
本書の全部または一部を、弊社の事前の書面による承諾なしに、転載または複製することを禁じます。
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8
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9
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10
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11
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12
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13
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16
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20
