AKM EQ0321 仕様

タイプ
仕様
[ EQ0321]
MS1436-J-03 2014/04
- 1 -
EQ0321 は、2個のホールセンサと処理回路を内蔵するホール IC す。小型モジュールに実装する
手ブレ補正用レンズや AF レンズ・Zoom レンズ等の精密位置検出に最適です
精密位置検出用途に最適で、磁石とセンサの温度特性をキャンセル可能
内部に2個のホールセンサを内蔵し、各ホールセンサ部に印加される磁束密度を演算した①式に
比例した電圧を出力
B1B2)/(B1B2 ・・・ ①※
B1B2 はホールセンサ部に印加される磁束密
出力ゲインおよび中点電圧は4線式 SPI により調整可能
パワーダウン機能搭載
低消費電流
動作電圧; V
DD
2.75.5V
小型パッケージ;10pinSON (サイズ:2.9×3.2×t0.6mm)
使用温度範囲;-30℃~85
ハロゲンフリー製品
EQ0321
I
I
C
C
特長
特長特長
特長
概要
概要概要
概要
[ EQ0321]
MS1436-J-03 2014/04
- 2 -
Fig.1 のように磁石と EQ0321 配置する
Fig.2 のようにインデックスマークを左下に配置した状態で
磁石を左(-側)から右(+側)に移動させた場合に出力が増加する(Fig.3
(1)ブロックダイアグラム
(2)各ブロック機能詳細
ブロック名 機能
HE1, HE2
同一パッケージ内に内蔵された2つのホール素子(HE1, HE2です。
CONTROL BLOCK
B1B2/(B1B2)の演算、ゲイン調整、オフセット調整、HE DRIVE の制
御などを行います。
HE DRIVE
同一パッケージ内に接続された2つのホール素子に駆動電圧を供給します。
VOLTAGE REFERENCE
内部基準電圧を発生します。
V
OUT
[V]
V
DD
VsatH
VsatL
V
SS
(-側)
V
OUT
=演算×1V×設定ゲイン
演算:
(B1-B2)/(B1+B2)
・B1、B2はホールセンサに印加される磁束密度
(+側)
ブロック
ブロックブロック
ブロック
HE1
VDD VSS
VOLTAGE
REFERENCE
CONTROL BLOCK
RSTN
VOUT
HE DRIVE
HE2
VCOM
CSN SCK SI SO TSTO
N
S
-側 +側
Fig.1
磁石と
EQ0321
の配置
Fig.2
磁石移動方向の定
Fig.4
EQ0321
ブロックダイアグラム
機能
機能機能
機能
動作
動作動作
動作
Fig.3
磁石移動距離に対
V
OUT
の変
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 3 -
(1)端子機能
端子
番号
端子
名称
タイプ
( 1)
I/O
( 2)
端子機能・条件説明
1 RSTN D I
リセット入力端子:
“Low”にするとパワーダウンモードになります。
“Low”状態で電源を立ち上げて下さい。
2 CSN D I
チップセレクト入力端子
3 SCK D I
クロック入力端子
4 SI D I
データ入力端子
5 SO D O
データ出力端子
6 VOUT A O
出力端子:
磁石の位置に比例した電圧を出力します。
最大容量負荷 20pF、最小抵抗負荷 100kΩです。
7 TSTO A O
テスト端子:
V
SS
に接続して下さい。
8 VCOM
A O
内部リファレンス出力端子:
V
DD
/2 の電圧を出力します。
0.01µF 付けして下さい。抵抗負荷禁止です。
9 VSS GND
グランド端子
10 VDD PWR
電源端子
注1) A(アナログ端子)、D(デジタル端子)、GND(グランド端子)、PWR(パワー端子)
注2) I(入力端子)、O(出力端子)
(2)端子配置
入出力端子
入出力端子入出力端子
入出力端子
機能
機能機能
機能・
・条件
条件条件
条件
10pin SON
1
2
4
SCK
RSTN
VSS
SO
SI
VDD
3
10
9
7
8
6
CSN
TSTO
VOUT
5
VCOM
Fig.5
端子配置図
TOP VIEW
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 4 -
特に指定が無い限り
Ta=25
項目 記号
Min. Max.
単位 備考
電源電圧
V
DD
-0.3 6.0 V
V
SS
基準
入力電圧 V
IN
-0.3 V
DD
+0.3 V V
SS
基準
保存温度 Tstg -40 125
※絶対最大定格を超えて使用した場合、
IC
を破壊する恐れがあります。
項目 記号
Min Typ Max
単位 備考
電源電圧
V
DD
2.7 5.5 V
V
SS
基準
動作温度
Ta -30 85
印加磁束密度範囲(注 1
Bin 15 150 mT
差磁束範囲(注 2
Bsub -120 120 mT
和磁束範囲(注 3
Badd 70 250 mT
差/和磁束範囲(注 4
Bdiv -0.7 0.7 -
注1)
1
つのホールセンサに印加される磁束密度範
注2)
2
個のホールセンサに印加される磁束密度の差の使用可能範囲
注3)
2
個のホールセンサに印加される磁束密度の和の使用可能範囲
注4)
2
個のホールセンサに印加される差磁束密度/和磁束密度の使用可能範
絶対最大定格
絶対最大定格絶対最大定格
絶対最大定格
推奨動作条件
推奨動作条件推奨動作条件
推奨動作条件
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 5 -
(1)アナログ特性
動作条件
;
特に指定の無い限り
Ta= 25
, V
DD
= 2.7V
5.5V,
ゲイン
2.4
,
中点調整
0mV
項目
項目項目
項目
記号
記号記号
記号
試験条件
試験条件試験条件
試験条件
Min. Typ. Max.
単位
単位単位
単位
スタンバイ電流
SIDD RSTN=V
SS
,
Bsub=0mT,Badd=80mT
5 µA
動作時電流
DIDD RSTN=V
DD
,
Bsub=0mT,Badd=80mT
5.5 7.5 mA
差磁場に対する
出力感度
Vh
(注
1
Bsub=±8mT,Badd=80mT
28.5 30.0 31.5 mV/mT
中点電圧
VOUT0
Bsub=0mT,Badd=80mT V
DD
/2
-0.15
V
DD
/2 V
DD
/2
+0.15
V
出力飽和電圧
H
Vsath
100k
Ω対
VSS
負荷
V
DD
-0.3 V
DD
V
出力飽和電圧
L
Vsatl
100k
Ω対
VDD
負荷
0 0.3 V
立ち上がり時間
tpon
(注
2
)リセット解除から中点電圧
±1%
以内に達するまでの時間
Bsub=0mT,Badd=80mT
1 ms
リセット解除時間
tRST
(注
2
)電源電圧安定後
リセット解除までの時
0.5 ms
出力感度
温度ドリフト(注
3
Vhd
(注
4
Ta=-30
85
,25
℃基準
Badd=150mT
±
2
%
中点電圧
温度ドリフト(注
3
Vofd
(注
5
Ta=-30
85
,25
℃基準
Badd=150mT
±
30
mV
出力ノイズ(注
3
Vn
(注
6
fc=2kHz
の外付け
1
LPF
通過後
,Badd=150mT
0.2 mVrms
帯域幅(注
3
fT 10 kHz
注1) 和磁束密度
Badd
mT
)を一定とし、差磁束密度
Bsub(mT)
を印加した場合の出力電圧を
Vout(Bsub)
とします。中
点電圧
Vout
Bsub=0
)及び、
Vout
Bsub=+8
)と
Vout
Bsub=-8
)の
3
点で最小二乗近似直線を求め、その傾きを
出力感度
Vh
mV/mT
)とします。
Vout = { Bsub / Badd } × GAIN × 1000 + VOUT0 [mV]
電気的仕様
電気的仕様電気的仕様
電気的仕様
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 6 -
注2) 電源立ち上がり時動作
注3) 設計参考値です。量産時にはテストを行いません。
注4) 温度
Ta[
]
のときの出力感度を
Vh(Ta)
とします。
25
℃のときの出力感度
Vh(25)
を基準とし、
Vh(Ta)
の変化の割合
を出力感度温度ドリフト
Vhd[%]
とします。
Vhd
{[Vh(Ta) – Vh(25)]
Vh(25) } × 100 [%]
注5) 温度
Ta[
]
のときの中点電圧を
V
OUT 0
(Ta)
とします。
25
℃のときの中点電圧
V
OUT 0
(25)
を基準とし、
V
OUT 0
(Ta)
の温
度に対する変化量を、中点電圧温度ドリフト
Vofd[mV]
とします。
Vofd
V
OUT 0
(Ta) – V
OUT 0
(25) [mV]
注6)
VOUT
端子 ノイズ測定時 付け
1
LPF
回路
VDD
RSTN
VOUTX/Y
tRST
tpon
中点電圧の±1%
tRSTL
VSS
0.01
µ
F
VOUT
8.2
Ω
EQ
0321
Fig.6
電源立ち上がり時動作
Fig.7
外付け
1
LPF
回路図
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 7 -
(2)-1 デジタル DC 特性
動作条件
;
特に指定の無い限り
Ta= -30
℃~
85
, V
DD
= 2.7V
5.5V
項目
項目項目
項目
記号
記号記号
記号
試験条件
試験条件試験条件
試験条件
Min. Max.
単位
単位単位
単位
H
レベル入力電圧
VIH
RSTN,CSN,SCK,SI
端子
0.8V
DD
V
DD
V
L
レベル入力電圧
VIL
RSTN,CSN,SCK,SI
端子
0 0.2V
DD
V
H
レベル出力電圧
VOH
SI
端子
,IOH=-400µA
V
DD
-0.4 V
L
レベル出力電圧
VOL
SI
端子
,IOL=+400µA
0.4 V
入力リーク電流
ILI
RSTN,CSN,SCK,SI
-10 +10 µA
出力リーク電流
IHL
SO
-10 +10 µA
(2)-2 デジタル AC 特性
動作条件
;
特に指定の無い限り
Ta= -30
℃~
85
, V
DD
= 2.7V
5.5V
項目
項目項目
項目
記号
記号記号
記号
試験条件
試験条件試験条件
試験条件
Min. Max.
単位
単位単位
単位
SCK
周波数
fSK 10 MHz
CSN
立下前の
SCK
セットアップ時間
tSKSH 20 ns
SCK
立上前の
CSN
セットアップ時間
tCSS 40 ns
SCK
パルス幅
tSKW 40 ns
SCK
立上時間
tRC
(注
1
10 ns
SCK
立下時間
tFC
(注
1
10 ns
SI
セットアップ時間
tDIS 15 ns
SI
ホールド時間
tDIH 15 ns
SI
立上時間
tRD
(注
1
10 ns
SI
立下時間
tFD
(注
1
10 ns
SO
出力遅延時間
tPD 25 ns
SO
ハイインピーダンス時間
tOZ
(注
1
)(注
2
40 ns
SO
出力ホールド時間
tOHD 0 ns
SCK
立上後の
CSN
ホールド時間
tCSH 40 ns
CS
立ち上げ後の
SCK
ホールド時間
tSKH 20 ns
CSN
ハイレベル最小時間
tCS 40 ns
EEPROM
プログラム時間
tWR 10 20 ms
tRSTL
(注
3
10 µs
注1) 設計参考値です。量産時にはテストを行いません。
注2)
SO
端子の分割抵抗
1k
Ω、
SO
出力
:0V→0.2V
又は
V
DD
→V
DD
-0.2V
のディレイ値。
注3) 電源立ち上がり時動作(
(1)
アナログ特性 注2)参照
1kΩ
SO
1kΩ
Fig.8
SO ハイインピーダンス時間測定時
外付け回路
V
DD
=2.7
5.5V
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 8 -
AC
0.1V
DD
(Low)
0.9V
DD
High
0.5V
DD
CL=30pF
■タイミング波形1
命令入力時タイミング
READ
時データ出力タイミング
CL=30pF
SO
AC
特性測定時
出力負荷回路
tSKW
tSKW
tDIS
tDIH
A0
Hi-Z
D7
D6
"L"
"H"
t
PD
tPD
SCK
CSN
SI
SO
A1
tOHD
CSN
tCS
tCSS
tSKSH
tDIS
tDIH
0
0
0
Hi-Z
SI
SO
tRC
tFC
SCK
tSKW
tSKW
tFD
tRD
Fig.9
AC 特性測定時
出力負荷回路
Fig.10
Fig.11
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 9 -
■タイミング波形2
READ
時データ出力終了時タイミング
WRITE
(3)EEPROM 特性
;
特にい限
Ta= -30
85
, V
DD
= 2.7V
5.5V
Min. Max.
EEPROM
EEN
- 1000
EEPROM
ERE
10 -
注)
1000
回以上の書き換えが行われた場合、データ保持は保証いたしません。
D0
tOZ
D1
SCK
CSN
SI
SO
tCS
tCSS
t
SKSH
tPD
t
OHD
Hi-Z
0
tSKH
tCSH
Hi-Z
D2
D1
D0
SCK
CSN
SI
SO
tSKH
tWR
Fig.12
Fig.13
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 10 -
(1)出力電圧、及び イン設定値、中点電圧調整値
EQ0321
は、内部に2個のホールセンサを内蔵し、各ホールセンサ部に印加される磁束密度
(B1,B2
)を演算した電圧を出
力電圧
V
OUT
を出力します。
V
OUT
[mV] = { Bsub / Badd } × GAIN × 1000 + OFFSET + VOUT0
Bsub [mT]
B1
B2
Badd [mT]
B1
B2
ゲイン設定値
(GAIN)
と中点電圧調整
(OFFSET)
は、シリアルインターフェースでデータを設定します。
(2)シリアルインターフェース
EQ0321
は、
CSN,SCK,SI,SO
による4線式の同期式シリアルインターフェースにより
EEPROM
メモリに設定データの
書き込み、読み出しを行います。各命令は、それぞれ8ビット単位で構成され
オペコード、アドレス、データによって構成
されます。
データの入出力はシリアルクロック
SCK
に同期しており、クロックの立ち上がりエッジでデータは取り込まれ、クロックの
立ち下がりエッジでデータは出力されます。
■命令一覧
命令
オペコード
アドレス
データ
WRITE 0000 ×010
A7-A0 D7-D0 (in)
EEPROM
書き込み
READ 0000 ×011
A7-A0 D7-D0 (out) EEPROM
読み出し
WREN 0000 ×110
EEPROM
書き込み許可命
WRDI 0000 ×100
EEPROM
書き込み禁止命
x : Dont care
■メモリマップ
Memory
Name
アドレス
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
GAIN 00h 0 0 GA5 GA4 GA3 GA2 GA1 GA0
OFFSET 01h 0 0 0 0 OF3 OF2 OF1 OF0
00h
01h
機能説明
機能説明機能説明
機能説明
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 11
-
WREN
命令/
WRDI
命令
EEPROM
き込
2
WREN
の入力後は
WRDI
命令の入力後は書
書き込み禁止状態で
EEPROM
への
WRITE
命令は実行されず、
WRITE
命令入力の前には
WREN
命令を入力し
なけれなりせん
WRITE
命令終了は、的に書込禁止態になりますで、
WRITE
命令の必ず毎回
WREN
命令を入力する必要があります。書込み禁止状態にて
WRITE
命令が入力された場合には、
WRITE
命令は無視
されます。電源立ち上げ時、書き込み禁止状態で立ち上がります。
WREN
命令
WRDI
命令
WRITE
命令
WRITE
命令により
EEPROM
への書き込みを実行することが出来ます。
EEPROM
への
WRITE
命令は、
CSN
端子を
"High"
から
"Low"
にした後、
オペコード、アドレス、データ
SI
端子から入
力します。命令入力後、
24
回目の
SCK
立ち上がりにすると、
EEPROM
書込内部プログラミングサイクルが始まります。
命令終了時の
CSN
端子の立ち上げは、
24
回目の
SCK
の立ち上がりか
EEPROM
の書き込みに必要な時間(
(2)-2
ジタル
AC
特性
EEPROM
プログラム時間)待った後、次の
SCK
クロックの立ち上がりエッジが入力される前
CSN
端子を
"Low"
から
"High"
に立ち上げて下さい。これにより、
EEPROM
書込内部プログラミングサイクルは終了します。これ以外の
タイミングで
CSN
が立ち上がった場合には
WRITE
命令は実行されません。
8
1
2
3
4
5
6
7
1
×
0
0
0
0
1
0
Hi
-
Z
CSN
SCK
SI
SO
×=ドント・ケ
8
1
2
3
4
5
6
7
1
×
0
0
0
0
0
0
Hi
-
Z
CSN
SCK
SI
SO
×=ドント・ケ
×
=Don’t care
×
=Don’t care
Fig.14
Fig.15
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 12 -
SI
SCK
CSN
O7
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
A4
A5
A6
A7
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O0
A0
A1
A2
A3
SO
Hi-Z
16
17
18
19
20
21
22
23
D4
D5
D6
D7
D0
D1
D2
D3
O7-O0
:オペコード、
A7-A0
:アドレス、
D7-D0
:データ
WRITE
シーケンス
READ
命令
READ
命令により
EEPROM
メモリのデータを読み出すことが出来ます。
READ
命令は
CSN
端子を
"High"
から
"Low"
にした後、オ、ア
SI
端子から入力します。その後、指定し
たアドレスのデータ(
D7-D0
)が
SO
端子から出力されます。
尚、アドレス最終ビット
(A0)
取り込み後の
SI
端子上のデータは無視されます
SI
SCK
CSN
O7
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
A4
A5
A6
A7
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O0
A0
A1
A2
A3
SO
Hi-Z
16
17
18
19
20
21
22
23
D4
D5
D6
D7
D0
D1
D2
D3
Hi-Z
O7-O0
:オペコード、
A7-A0
:アドレス、
D7-D0
:データ
READ
シーケンス
Fig.16
Fig.17
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
- 13 -
詳細説明
名 GAIN)
CSN,SCK,SI,SO
の4線式シリアルインターフェースにより、出力端子
VOUT
のゲインを切り替えることが可能
です。設定データを
EEPROM
に書き込みます。出荷時の状態は、ゲイン
2.4
倍です。
設定値
GA[5]GA[0]
ゲイン
[]
設定値
GA[5]GA[0]
ゲイン
[]
000000 1.4 010000 3.0
000001 1.5 010001 3.1
000010 1.6 010010 3.2
000011 1.7 010011 3.3
000100 1.8 010100 3.4
000101 1.9 010101 3.5
000110 2.0 010110 3.6
000111 2.1 010111 3.7
001000 2.2 011000 3.8
001001 2.3 011001 3.9
001010
2.4(出荷時)
011010 4.0
001011 2.5 011011 4.1
001100 2.6 011100 4.2
001101 2.7 011101 4.3
001110 2.8 011110 4.4
001111 2.9 011111 4.5
設定値
GA[5]GA[0]
ゲイン
[]
設定値
GA[5]GA[0]
ゲイン
[]
100000 4.6 110000 6.2
100001 4.7 110001 6.3
100010 4.8 110010 6.4
100011 4.9 110011 6.5
100100 5.0 110100 6.6
100101 5.1 110101 6.7
100110 5.2 110110 6.8
100111 5.3 110111 6.9
101000 5.4 111000 7.0
101001 5.5 111001 7.1
101010 5.6 111010 7.2
101011 5.7 111011 7.3
101100 5.8 111100 7.4
101101 5.9 111101 7.5
101110 6.0 111110 7.6
101111 6.1 111111 7.7
[ EQ0321]
MS1436-J-03
2014/04
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・中点電圧調整(メモリ名 OFFSET
CSN,SCK,SI,SO
の4線式シリアルインターフェースにより、出力端
VOUT
DC
調整を切り替えることが可
能です。設定データ
EEPROM
に書き込みます。出荷時の状態は
DC
調整
0mV
です。
設定値
OF[3]OF[0]
DC 調整
[mV]
設定値
OF[3]OF[0]
DC 調整
[mV]
0000
0(出荷時)
1000 0
0001 +100 1001 -100
0010 +200 1010 -200
0011 +300 1011 -300
0100 +400 1100 -400
0101 +500 1101 -500
0110 +600 1110 -600
0111 +700 1111 -700
[ EQ0321]
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外形寸法図 (単位:mm
10pin SON
■端子
1:
RSTN
2:
CSN
3:
SCK
4:
SI
5:
SO
6:
VOUT
7:
TSTO
8:
VCOM
9:
VSS
10:
VDD
11:
N.C.
OPEN
注1) センサ中心はφ
0.2mm
の円内に位置します。
注2) センサ面は、パッケージ表面から
0.26mm
に位置します。
注3) 公差は特に定める以外は±
0.1mm
とします。
注4) 端子切断面には半田メッキはついておりません
パッケージタイプ:
SON
端子材質:
Cu
端子めっき材:
Sn 100%
端子めっき厚:
10µm (typ.)
パッケージ
パッケージパッケージ
パッケージ
Fig.18
EQ0321
外形寸法図
3.2
2.9
0.6
±0.05mm
0.15
0.25
0.5
0.2
0.35
0.35
1.4
0.18
0.45
0.15
Sensor
Center
Sensor
Center
HE2
HE1
0
.
2
0
.
2
(0.26)
10
1010
10
11
1111
11
2.2
±0.07
0.34
[ EQ0321]
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マーク表示はレーザー印刷となります。
グレード識別番号
印字 対応グレード 対応年 印字 対応月
1
EQ0321
0
2020年
C
1月
2 1
2011年
D
2月
3 2
2012年
E
3月
4 3
2013年
F
4月
5 4
2014年
G
5月
6 5
2015年
H
6月
7 6
2016年
J
7月
8 7
2017年
K
8月
9 8
2018年
L
9月
0 9
2019年
M
10月
N
11月
12月
マーキング
マーキングマーキング
マーキング情報
情報情報
情報
1 2 H 1
ロット
製造月(
6
月)
製造年(201
2
月)
グレード識別番号
Fig.19
マーキング情報
推奨
推奨推奨
推奨ランド
ランドランド
ランド形状
形状形状
形状
Fig.20
推奨ランド形状図
X
1
X
2
X
3
X
4
X
1
X
2
X
3
X
4
0.25 0.25
0.552.7
0.5
[ EQ0321]
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本製品はテーピング包装(
3,000
個/リール)にて納入いたします。
(1)キャリアテープ寸法 (単位:mm
(2)キャリアテープ用リール寸法 (単位:mm)
素子挿入向き
Fig.21
キャリアテープ寸法図と素子挿入向き
Fig.22
キャリアテープ用リール寸法図
テーピング
テーピングテーピン
テーピング情報
情報情報
情報
1 2 H 1
[ EQ0321]
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下に示す温度プロファイル条件内でリフロー可能です
リフロー
リフローリフロー
リフロー実装条件
実装条件実装条件
実装条件
Fig.23
リフロープロファイル
[ EQ0321]
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外部回路接続推奨例
外部回路接続推奨例外部回路接続推奨例
外部回路接続推奨例
EQ0321
RSTN
CSN
SCK
SI
SO
VDD
VSS
VCOM
TSTO
VOUT
V
DD
= 2.75.5V
1μF
0.01μF
4-wire SPI I/F
HOST CPU
Fig.24
推奨回路図
[ EQ0321]
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重要な注意事項
0.
本書に載された弊社製以下、「本製」といます、およ、本品の様につきしては、品改善の
めに予告なく変更することがあります。従いまし、ご使用を検討の際には、本書掲載した情報が最新のものである
ことを弊社営業担当、あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください。
1.
本書に記載された情報は、本製品の動作例、応用例を説明するものであり、その使用に際して弊社および第三者の知
的財産権そ他の権利にする保証また実施権の許諾を行うものではありません。お客様の機器設におて当
該情報使用される合はお客の責おい行って頂くとに、該情の使に起してお客たは
三者に生じた損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません
2.
本製品は、療機、航空宙用機器輸送機器、交信号機器、燃焼機、原力制御機器、各安全装置
ど、その装置・器の故障動作不良が、直接また間接を問わず、生命、体、産等へ重大損害を及ぼす
が通常予想れるような極めて高い信頼性を要求さる用途に使用れることを意図しておらず、保証もされていませ
ん。そのため、別途弊社より書面で許諾された場合を除き、これらの用途に本製品を使用しないでください。万が一、
れらの用途に本製品を使用された場合、弊社は、当該使用から生ずる損害等の責任を一切負うものではありません。
3.
弊社は質、性の向上めております電子製品は一に誤または故する場合あります本製
をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により、生命、身体、財産等が侵害されることのないよ、お客様の責
において、本製品を搭載されるお客様の製品に必要な安全設計を行うことをお願いします。
4.
本製よび載の、大壊兵開発、軍目的ある軍事用途
の目的で使用しいでくさい。本製品および本書記の技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、「外
為替及外国貿易法そのの適用ある輸出連法を遵守し、必要な手続を行てください。本製品および本
載の技術情報を国内外の法令および規則により製造、使用、販売を禁止されている機器・システムに使用しないでくだ
さい。
5.
本製品の適合等の細にましは、製品に必ず弊担当お問せくださ本製品の使
用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する
RoHS
指令等、適用される環境関連法令を十分調査のうえ、かかる
法令にするうに使用ください。お様がかか法令遵守しなこと生じた損に関て、社は
の責任を負いかねます
6.
お客様転売によりこ注意事項反して本品が使用れ、そ使用から害等が生じたはお客様にて
該損害をご負担または補償して頂きますのでご了承ください。
7.
本書の全部または一部を、弊社の事前の書面による承諾なしに、転載または複製することを禁じます
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